形狀：
粉末純度：
99.9%目數：
3um品級：
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規格：1-3μm 2-6μm 5-8μm -300目，-150目
用途：功率模塊，向電子封裝，測溫保護管，高導熱氮化鋁陶瓷基片，LED，電器元件，砷化鎵表面的氮化鋁涂層，制作高導熱樹脂添加。大規模集成電路散熱基板和封裝材料，高頻壓電元件、超大規模集成電路基
產品特性：
氮化鋁粉末純度高，粒徑小，活性大，是制造高導熱氮化鋁陶瓷基片的主要原料。
氮化鋁陶瓷基片，熱導率高，膨脹系數低，強度高，耐高溫，耐化學腐蝕，電阻率高，介電損耗小，是理想的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。
氮化鋁硬度高,超過傳統氧化鋁,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造價高,只能用于磨損嚴重的部位.
利用AIN陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性，可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發皿、磁流體發電裝置及高溫透平機耐蝕部件，利用其光學性能可作紅外線窗口。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規模集成電路基片等。
氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕，對酸穩定，但在堿性溶液中易被侵蝕。AIN新生表面暴露在濕空氣中會反應生成極薄的氧化膜。利用此特性，可用作鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩堝和燒鑄模具材料。AIN陶瓷的金屬化性能較好，可替代有毒性的氧化敏瓷在電子工業中廣泛應用
性狀：白色粉末
化學成份：AlN≥99.9% N≥32.5% O≤1% Fe≤0.05% Cr≤0.005% Ni≤0.005%
功率模塊，向電子封裝，測溫保護管，高導熱氮化鋁陶瓷基片，LED，電器元件，砷化鎵表面的氮化鋁涂層，制作高導熱樹脂添加。大規模集成電路散熱基板和封裝材料，高頻壓電元件、超大規模集成電路基
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