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ST2263型雙電測數字式四探針測試儀
ST2263型雙電測數字式四探針測試儀

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面議

型號

ST2263型

品牌

晶格電子

產地

蘇州

樣本

暫無
蘇州晶格電子有限公司

金牌會員

|

第6年

|

生產商

工商已核實

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核心參數
  • 探測器:

    -
  • 加速電壓:

    -
  • 電子槍:

    -
  • 電子光學放大:

    -
  • 光學放大:

    -
  • 通道數:

    -
  • 誤差率:

    0.5%
  • 波長準確度:

    -
  • 靈敏度:

  • 分辨率:

    0.5%
  • 重現性:

    -
  • 儀器原理:

    電阻式計數
  • 分散方式:

    -
  • 測量時間:

    -
  • 測量范圍:

    10.0×10^-4 ~ k×200.0×10^3 Ω-cm
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ST2263型雙電測數字式四探針測試儀

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二、概述

     ST2263型雙電測數字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測-改進形范德堡測量方法測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準。利用電流探針、電壓探針的變換,進行兩次電測量,對數據進行雙電測分析,自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響,它與單電測直線或方形四探針相比,大大提高正確度,特別是適用于斜置式四探針對于微區的測試。

     儀器成套組成:由主機、選配的四探針探頭、測試臺以及PC軟件等部分組成。

     主機主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式單片機系統組成,USB通訊接口。儀器主機所有參數設定、功能轉換全部采用數字化鍵盤和數碼開關輸入;具有零位、滿度自校功能;測試功能可自動/手動方式;儀器操作可由配套軟件在PC機上操作完成,也可脫PC機由四探針儀器面板上獨立操作完成。測試結果數據由主機數碼管直接顯示,也可連機由軟件界面同步顯示、分析、保存和打印!

     探頭選配:根據不同材料特性需要,探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭,以測試硅類半導體、金屬、導電塑料類等硬質材料的電阻率/方阻;也有球形鍍金銅合金探針探頭,可測柔性材料導電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜(ITO膜)或納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試夾具,還可對電阻器體電阻、金屬導體的低、中值電阻以及開關類接觸電阻進行測量。

     測試臺選配:一般四探針法測試電阻率/方阻配SZT-A或SZT-B或SZT-C或SZT-F型測試臺。

     儀器具有測量精度高、靈敏度高、穩定性好、智能化程度高、測量簡便、結構緊湊、使用方便等特點。

     儀器適用于半導體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對導體、半導體、類半導體材料的導電性能的測試,特別是適用于斜置式四探針對于微區的測試。

三、基本技術參數

3.1  測量范圍

    電阻率:1×10-4~2×105 Ω-cm,分辨率:1×10-5~1×102 Ω-cm

    方  阻:5×10-4~2×105 Ω/□,分辨率:5×10-5~1×102 Ω/□

    電  阻:1×10-5~2×105 Ω   ,分辨率:1×10-6~1×102 Ω

3.2  材料尺寸(由選配測試臺決定和測試方式決定)

    直    徑:SZT-A圓測試臺直接測試方式 Φ15~130mm,手持方式不限

    SZT-B/C/F方測試臺直接測試方式180mm×180mm,手持方式不限.

    長(高)度:測試臺直接測試方式 H≤100mm,    手持方式不限.

    測量方位: 軸向、徑向均可

3.3.  4-1/2 位數字電壓表:

    (1)量程: 20.00mV~2000mV

    (2)誤差:±0.1%讀數±2 字

3.4  數控恒流源

   (1)量程:0.1μA,1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100mA,1A

   (2)誤差:±0.1%讀數±2 字

3.5  四探針探頭(選配其一或加配全部)

   (1)碳化鎢探針:Φ0.5mm,直線探針間距1.0mm,探針壓力: 0~2kg 可調

   (2)薄膜方阻探針:Φ0.7mm,直線或方形探針間距2.0mm,探針壓力: 0~0.6kg 可調

3.6 電源

   輸入: AC 220V±10% ,50Hz  功        耗:<20W

3.7 外形尺寸:

   主機  220mm(長)×245 mm(寬)×100mm(高)


聯系人:王經理

聯系電話:13656 225155

微信:13656 225155

客服經理-王娟.jpg




創新點

該儀器設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準。利用電流探針、電壓探針的變換,進行兩次電測量,對數據進行雙電測分析,自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響,它與單電測直線或方形四探針相比,大大提高正確度,特別是適用于斜置式四探針對于微區的測試。

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產品質量

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售后服務

10分

易用性

10分

性價比

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