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半固態膏狀聚硅氮烷TC-P21
半固態膏狀聚硅氮烷TC-P21

參考價格

面議

型號

TC-P21

品牌

清瓷新材料

產地

浙江

樣本

暫無
杭州清瓷新材料科技有限公司

會員

|

第3年

|

生產商

工商已核實

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核心參數
  • 品級:

    工業級
  • 外觀:

    液體
  • 有效物質含量:

    -
  • 執行質量標準:

    -
  • 密度(g/c㎡):

    -
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1. 產品特征

淡黃色膏狀  

90-120℃可熔融,180-350℃熱固化(不再軟化), 紫外光(200-350nm)可固化,激光可陶瓷化

易溶于正己烷、甲苯、二氯甲烷、四氫呋喃、乙酸乙酯等非質子有機溶劑。

可添加填料,與許多基體粘合良好

陶瓷化溫度T800℃,高陶瓷產率 >70%,高溫穩定性優異

TC-P21是專為電子領域產品耐高溫涂層設計的一種固體聚硅氮烷樹脂,其低分子量組分含量很低,經熱解可獲得很高的陶瓷產率。TC-P21溶解在非質子溶劑中配制成涂料,建議質量濃度不高于10%,在金屬、硅、塑料、陶瓷等基材上涂覆成膜,涂覆方式可以是浸凃、噴涂、旋涂。涂層厚度既可以通過濃度控制,也可以通過操作控制。涂料中可以加入活性或者惰性填料,涂層的性能可以由填料調控。TC-P21的溶液可以作為粘合劑層使用。

2. 產品應用

TC-P21是一種可用的前驅體聚合物,可用干燥的非質子溶劑(烷烴、芳香族碳氫化合物、酯)溶解或用添加劑或填料(顏料、金屬或陶瓷粉末等)改性。根據性能需要可以配制不同濃度不同填料含量的涂料。

TC-P21可在180-450℃熱固化,200-350nm紫外光照射下可以光固化。每種情況的固化條件(光強,溫度、時間、氣氛)都必須適合于基體的幾何形狀和組成。加入的添加劑或填料會影響固化條件。

TC-P21800℃以上熱裂解可以轉化成無定形Si/C/N材料,這種材料在更高的溫度(>1400℃)會結晶成SiC/Si3N4/C納米復合材料。熱解后得到的材料在峰溫1450℃保持穩定,其與性能相關的性質如相組成、密度和機械性質極大的取決于操作和熱解條件。

3. 技術數據

外觀:淡黃色膏狀     聚合物含量:100%

熔融溫度:90-120   固化:180~350,紫外光(200-350nm

陶瓷化:激光(1064nm

 

溶解性:溶于正己烷、甲苯、乙酸乙酯、四氫呋喃二氯甲烷等有機溶劑

保質期:低溫密封干燥保存24個月。

4. 使用說明

只有經專業訓練的人員才可使用本產品

TC-P21對水分輕微敏感,可以在空氣中操作。

5. 加工

TC-P21可用于制備各種電子器件涂層,既可以做光刻膠,也可以做封裝材料。

TC-P21可配制成1-10wt%的溶液,其涂層(<1μm厚度)如果在不耐高溫的聚合物基材上,可以在空氣中用無極紫外燈/真空紫外光源照射1-2分鐘可固化成膜。

TC-P21制備的薄膜在空氣、氮氣、氬氣、氫氣、氨氣或真空中1000℃熱解可轉化為無定形的Si/C/N材料。1000TC-P21失重量約為29%(惰性氣體中),同時其密度和硬度會加倍,在更高的溫度下(>1400℃)材料會結晶成Si3N4/SiC/C納米復合材料。固化或熱解過程中TC-P21材料性質的變化取決于所用氣氛。SiCN的氧化的拋物線速率常數kp=1.1×10-183.8×10-18m2/s,CVDPVDSiC相當。

32.png

6. 應用

TC-P21是一種負型光刻膠,可以制備幾個納米厚度薄層介電層,是一種玻璃化溫度高達1500的樹脂材料,是在耐溫性和高寬比方面比SiC更先進的一代半導體材料,可用于制備耐高溫1500的電子傳感器。

7. 安全說明

操作過程中需佩戴耐溶劑手套(如丁基膠手套或丁腈膠手套)

使用合適的護眼設備(安全護目鏡或防護面具)

TC-P21需遠離兒童,于陰涼(<25℃)干燥處儲存

8. 產品存放與廢物處理

TC-P21存放在陰涼(<25℃)干燥處。

可以用有機溶劑(如正己烷、THF)除掉周邊未固化殘留TC-P21,固化或熱解后形成的材料不溶于有機溶劑,TC-P21污染的加工設備使用后應立即清洗。

TC-P21的廢棄物不能和含質子物質(如:水)混合,必須在適宜的處理地點處理廢棄物。

9. 技術服務

我們的技術部門可解答性能、使用和化學規格方面的技術問題。

所有的技術信息都是基于實際經驗的,實際條件改變時不能原封照搬,用戶需自行進行試驗,由于產品的使用已超出我們的管理范疇,所以我們只盡責保證產品始終如一的品質。


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產品質量

10分

售后服務

10分

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10分

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