溫控精度：
±1℃最高溫度：
1200額定溫度：
1100非金屬電熱元件：
其他金屬電熱元件：
其他燒結氣氛：
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產品介紹:
該產品是由射頻電源、氣體質子流量控制系統、襯底控溫系統、真空系統組成，適用于室溫至1200℃條件下進行Si02、SiNx薄膜的沉積，同時可實現TEOS源沉積，Sic膜層沉積以及液態氣態源沉積其它材料，尤其適合干有機材料上高效保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。
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