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■ 砷化銦探測器（InAs）

———近紅外探測器 波長范圍：1-3.8μm

技術參數：

主要技術指標

型號/參數 DInAs3800 DInAs3800-TE

光敏面直徑(mm) 2 2

波長范圍(μm) 1-3.8 1-3.8

峰值響應度(A/W) 0.8 1.5

D*(@λpeak， 1KHz)cm Hz1/2W-1 2.5×109 9.1×1012

NEP(@λpeak，1KHz)pW/Hz1/ 2 71 4.4

溫控器型號 - ZTC-2

探測器溫度(℃) 室溫 -40

溫度穩定度(℃) - ±0.5

信號輸出模式 電流 電流

輸出信號極性 正（P） 正（P）

制冷模式時須使用溫控器（型號：ZTC）

推薦使用前置放大器型號：ZAMP

主要特點：

■ 砷化銦探測器（InAs）

———近紅外探測器 波長范圍：1-3.8μm

DInAs3800和DInAs3800-TE兩種型號，其中：◆ DInAs3800內裝進口常溫型探測元件；◆ DInAs3800-TE內裝進口TE制冷型探測元件。

砷化銦探測器使用建議：

● DInAs3800和DInAs3800-TE均為電流輸出模式的光電探測器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號處理器前，建議采用I-V跨導放大器ZAMP（Page85做為前級放大并轉換為電壓信號，標明可輸入電流信號的信號處理器可直接接入信號，但仍建議增加前置放大器以提高探測靈敏度；

● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103數據采集系統（Page95）使用時，建議采用I-V跨導放大器以提高探測靈敏度；

● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA數據采集系統（Page95）使用時，由于DCS300PA雙通道已集成信號放大器，故可不再需要另行選配前置放大器；

● 制冷型DInAs3800-TE砷化銦探測器，在制冷模式時須使用溫控器（型號：ZTC）進行降溫控制。