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Idonus基于高功率LED和高檔微透鏡陣列的基礎上提出了一個 GE MING性的紫外光照系統。
這個產品應用于光刻膠曝光工藝，適用多種基材。光照質量保證了高的同質性的臨界尺寸和整個面上的側壁角。實際上，由于使用了一種完全遠心的光學，我們的設計提供了**的穩定光照條件，即整個表面的高同質性的強度和低的發散角。
可以根據用戶需求進行產品開發定制，可以極大縮短您的想法變成產品的時間。
LED BENEFITS優點
目前隨著LED技術的發展，紫外LED表現出了比汞光源更大的優勢。
● 長壽命LED，測試不需要耗材
● 不需要每天校準，即刻穩定光照
● 有限的發熱，這降低了空氣冷卻費用
● 低功率消耗
● 光源僅僅在曝光時開啟（不需要快門）
● 用戶可以根據需求進行照射系統定制。
也可以按照用戶舊機器的尺寸設計照射系統，以替代舊的機器上的汞燈照射系統。
TYPICAL PERFORMANCES 典型參數
分辨率 ：0.5 μm
光學功率 ：20 to 200 mW/cm2
曝光區域 ：50x50 to 300x300 mm2
光學輻照不均勻性 ： ±2%
ZUI大發散角(FWHM) ：±1.5°to 3°
波長 ：365 / 385 / 405 nm
光譜半寬幅 ：12 nm
設備尺寸 ： 65x30x30 cm3
總功率 ：20 to 1200 W
EXAMPLE SYSTEM SPECIFICATIONS 系統規格舉例 可能的曝光系統的不同配置如下表所示，系統可以根據您的需要設計。 | |||
System Type 系統型號 | A | B | C |
Resolution [um] 分辨率 | 2 | 1 | 1 |
Optical power [mW/cm2] 光學功率 | 42 | 152 | 165 |
Exposition area [mm2] 曝光面積 | 80x80 | 100x100 | 300x300 |
Optical irradiance inhomogeneity [%] 光照幅度不均勻性 | ±2 | ±2 | ±2 |
Max divergence angle [°] (Full Width Half Maximum) **發散角（半寬幅） | ±2.5° | ±1.5° | ±1.5° |
Wavelength [nm] 波長 | 405 | 365 | 385 |
Spectrum half width [nm] 光譜半寬幅 | 12 | 12 | 12 |
System size [cm] 系統尺寸 | 65x30x30 | 65x30x30 | 1100x60x60 |
Power consumption [W] 功耗 | 20 | 180 | 1200 |
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