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IDONUS,氫氟酸氣相蝕刻系
IDONUS,氫氟酸氣相蝕刻系

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皕赫科學儀器(上海)有限公司

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Hydrofluoric Acid Vapor Phase Etcher

氫氟酸氣相蝕刻系統

MEMS領域設備:準干法氫氟酸氣相蝕刻系統,4“、6”、8“范圍適用。

氫氟酸蝕刻二氧化硅是微電子行業中的一道傳統工藝,多以濕法為主,但是濕法工藝容易造成硅表面自然氧化層無法完全去除,進而影響金屬和硅的歐姆接觸。

本氫氟酸氣相蝕刻是一套準干法工藝設備,通過對基底的加熱,晶圓表面的水分可以很好的控制。由

于晶圓完全不與液體接觸,可以進行無粘著MEMS釋放。

特點:

安全酸處理

可重復利用HF

晶圓夾緊機構

適于各種尺寸的晶圓

無需安裝(裝置在濕法酸工作臺中使用)

上部向下晶圓蝕刻

背面保護

低運行成本

應用

無粘著MEMS釋放

結構減薄

SOI基底上的結構免切割釋放

蝕刻速率從0到10 μm/hour可調(無粘著)

單面二氧化硅蝕刻(蝕刻過程背面保護)

4英寸產品型號:VPE100

6英寸產品型號:VPE150

8英寸產品型號:VPE200

蝕刻液:50%HF有機溶液

蝕刻速率:2-30 μm/hour

加熱溫度:35-60℃

反應室溫度控制

在反應室內,二氧化硅的腐蝕速率隨液體HF的溫度略有變化。氫氟酸的溫度取決于潔凈室的環境溫度。此外,在長時間的蝕刻過程中,HF會被加熱,導致晶圓之間的蝕刻速率增加,直到系統穩定下來。為了穩定腐蝕速率,我們在容器中開發了一個溫度可控的HF反應室。高頻的溫度可以通過附加的控制器來調節。

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10分

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