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程序升溫原位氣體反應系統是在標準的樣品臺基礎上搭建可視化NONA-LAB和四電極反饋控溫模塊，在透射電鏡中實現樣品的氣氛環境皮米級高分辨成像和精準、均勻、安全控溫，溫度精度優于±0.1K，**溫度1000℃，**氣壓2000mBar。通過精確的熱場模擬及獨特的芯片設計，實現無漂移加熱過程，可在加熱升溫過程中實現實時觀測成像。原位氣氛反應納流控安全管理系統實現納升級別流體引入，高效精確控制氣體池中的流體的流速流量，*低為10nL/s，引入流體在極其微量級別，即使在芯片窗體薄膜破裂的情況下，也不會有大量氣體滲漏，使得電鏡的安全得以保證，實驗不受影響可持續進行。
獨特優勢
●原子級分辨率
a.超薄氣夾層（100-200nm）
b.超薄氮化硅膜（可達10nm）
●溫控精確
a.四電極形成反饋控制系統，控溫準
b.觀測區域全覆蓋，升溫快且均勻
●安全性高
a.防腐多路精確控制氣體混合
b.納流控系統防滲漏
系統規格
| 溫度范圍 | RT~1000℃ |
| 氣體模式 | 靜態或流體 |
| 窗口膜厚 | 10nm， 25nm， 50nm |
| 氣體池厚度 | 100~200nm |
| 芯片管路 | 一進一出 |
| 外部管路 | 1-4進1出 |
| 壓力范圍 | 0~2000mBar |
| 適用氣氛 | H2， He， N2， O2， Ar， H2O， CO，CO |
| 溫度精度 | ≥95% |
| 加熱均勻性 | ≥99.5% |
| 加熱電極數 | 4 |
| (HR)TEM/STEM | √ |
| (HR)EDS/EELS | √ |
| 適用電鏡 | FEI， JEOL， Hitachi |
| 適用極靴 | ST，XT，T，BioT，HRP，HTP，CRP |
應用實例
PbSe納米粒子暴露在少量空氣中形貌變化原位觀測X. Peng et al.， In Situ TEM Study of the Degradation of PbSe Nanocrystals in Air. Chemistry of Materials 31， 190-199 (2019).
售后服務
1、設備運抵現場，我方技術人員同時到達，一同開箱檢驗，并提供有關設備的搬運、倉儲、注意事項的技術咨詢服務；
2、設備進行安裝調試階段，我方技術人員到現場協助安裝調試，及時處理安裝過程中所遇到的問題，確保系統成功使用；
3、合同要求提供產品使用、維護說明書，設備的原理圖、接線圖、施工圖等技術資料及備品。建立售后跟蹤，及時了解設備運行情況、接受用戶的報修、投訴、以便及時安排技術人員解答或趕赴現場；
4、加強與用戶的聯系，重視用戶的意見，制定各用戶的質量跟蹤信息卡制度，健全用戶檔案，并且對產品進行回訪，了解設備的運行情況，以確保用戶長期安全可靠地使用我公司的設備。
5、公司儲存充足的零配件，隨時滿足客戶單位對備品備件的要求。
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