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日立高新磁控濺射器MC1000
日立高新磁控濺射器MC1000

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日本

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柜谷科技發展(上海)有限公司

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日立高新磁控濺射器(Hitachi Ion Sputter )MC1000采用了電磁管電極,能夠**限度地減輕對樣品的損壞,并在樣品表面涂覆一層均勻粒子。適用于高分辨率的掃描式電子顯微鏡。

日立高新磁控濺射器(Hitachi Ion Sputter )MC1000的**樣品直徑:60 mm

日立高新磁控濺射器(Hitachi Ion Sputter )MC1000的**樣品高度:20 mm

特點:

采用LCD觸摸屏,可以更加簡便地設定加工條件

可處理較厚或較大的樣品(選配件)

記憶功能可存儲常用加工條件

規格:

項目說明
放電類型磁控二極管放電型(電場垂直于磁場)
電極組成反向平行盤(嵌入磁鐵)
電壓**0.4Kv DC(直流可變)
電流**40mA DC

噴鍍速率(**)[條件]

壓力:7Pa

放電電流:40mA

標靶與樣品表面之間的距離:20mm

Pt靶(選配件)15nm/min
Pt-Pd靶(選配件)20nm/min
Au靶(選配件)35nm/min
Au-Pd靶(選配件)25nm/min
樣品尺寸**直徑Ф60mm
**高度20mm
機械泵135/162 L/min(50/60Hz)
靶材﹡2Pt, Pt-Pd (8: 2), Au, Au-Pd(6: 4)
電源要求單相,100VAC(±10%)15A(50/60Hz)3-針插頭線纜(3m)
尺寸寬度450mm
長度391mm
高度390mm
重量主機:約25Kg 機械泵:約28kg

﹡1:噴鍍速率僅供參考

﹡2:主機內不包括靶材。請從選項中選擇(鉑,鉑-鈀,金,金-鈀)

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10分

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10分

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10分

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10分
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