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鍺片、鍺襯底
1、晶體習性與幾何描述：
該晶體使用直拉法在晶體（100）方向延伸。圓柱形表面（表面光潔度小于2.5 μm RMS）。經紅外成像法檢測晶體結構穩定可靠。晶體幾個結構由直徑和長度決定。當一個晶體屬于原生態晶體時，其當量直徑為：
D ----外形尺寸當量直徑
W----鍺晶體重量
L-----晶體長度
測量值是四舍五入*小可達到毫米級別。為了便于訂單出貨，我們會依據晶體的體積、直徑和長度進行分類。同時我們可以滿足客戶的特殊需求，提供定制服務。
2、純度：殘留載荷
**允許凈載流子雜質濃度與探頭二極管的幾個構造有關，請參照如列公式。其純度依據據霍爾效應測量和計算。
同軸探測器：同軸探測器適用于下列公式：
Nmax = 每立方厘米**雜質含量
VD = 耗盡層電壓 = 5000 V
εo = 介電常數 = 8，85 10-14 F/cm
εr = 相對介電常數(Ge) = 16
q = 電子電荷1，6 10-19C (elementary charge)
r1 = 探測器內孔半徑
r2 = 探測器外孔半徑
鍺片、鍺襯底
3、純度：
假如晶體表面半徑減少2mm，由于鋰的漫射和刻蝕，內徑8毫米的內孔半徑， 適用公式變為：
D = 晶體外表面
平面探測器：平面探測器（厚度小于2厘米）適用于以下公式：
d=探測器外觀尺寸厚度
徑向分散載荷子（**值）
遷移：霍爾遷移
性能： P 型晶體 μH ≥ 10000 cm2/V.s
N 型晶體 μH ≥ 10000 cm2/V.s
能級： P 型晶體 通過深能瞬態測量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3
N 型晶體 通過深能瞬態測量點缺陷 < < 5*108cm-3
晶體主要指標： P 型晶體 N 型晶體
錯位密度 ≤ 10000 ≤ 5000
星型結構 ≤ 3 ≤ 3
鑲嵌結構 ≤ 5 ≤ 5
電阻率 0.02-0.04 ohm.cm
4、高純度高純鍺HPGe晶體
說明：
高純鍺晶體 | ||
產地 | 法國 | |
物理性質 | 顏色 | 銀灰色 |
屬性 | 半導體材料 | |
密度 | 5.32g/cm3 | |
熔點 | 937.2℃ | |
沸點 | 2830℃ | |
技術指標 | 材料均勻度 | 特級 |
光潔度 | 特優 | |
純度 | 99.999 999 99%-99.999 999 999 99%（10 N-13N) | |
制備方式 | 鍺單晶是以區熔鍺錠為原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制備的鍺單晶體。 | |
產品規格 | P、N型按客戶要求定制 | |
產品用途 | 超高純度，紅外器件、γ輻射探測器 | |
P型N型高純鍺 | 在高純金屬鍺中摻入三價元素如銦、鎵、硼等，得到p型鍺； 在高純金屬鍺中摻入五價元素如銻、砷、磷等，得到n型鍺。 | |
提供各種規格鍺單晶、鍺片（鍺襯底），包含8英寸及以上的規格鍺片 | ||
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