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OXIDE PPMgSLT倍頻晶體
OXIDE PPMgSLT倍頻晶體

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筱曉(上海)光子技術有限公司

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  • QPM device which has periodically poled structure in MgSLT

  • High photorefractive damage resistance.

  • High thermal conductivity

  • Suitable for green light generation several tens watts

  • High conversion efficiency (deff 7~9pm/V)

  • Unique material for QPM with high transparency at 300~400 nm in wavelength

Specification

SHG Output Power>1W
Maximum Input Capacity>10W
Non-linear Coefficient(deff)>7.5pm/V
Phase Matching Temperature40+/- 10 degree C
Crystal Size (T x W)0.5mm x 2mm
Crystal Lengh (L)10mm , 30mm
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