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掃描電子顯微鏡

Apreo 材料科學(xué)應(yīng)用

功能*為豐富的高性能 SEM

Apreo 性的復(fù)合透鏡設(shè)計(jì)結(jié)合了靜電和磁浸沒(méi)技術(shù)，可產(chǎn)生****的高分辨率和信號(hào)選擇。這使得 Apreo 成為研究納米顆粒、催化劑、粉末和納米器件的理想平臺(tái)，并且不會(huì)降低磁性樣品性能。

Apreo 受益于獨(dú)特的透鏡內(nèi)背散射探測(cè)，這種探測(cè)提供**的材料對(duì)比度，即使在傾斜、工作距離很短或用于敏感樣品時(shí)也不例外。新型復(fù)合透鏡通過(guò)能量過(guò)濾進(jìn)一步提高了對(duì)比度并增加了用于絕緣樣品成像的電荷過(guò)濾。可選低真空模式現(xiàn)在的**樣品倉(cāng)壓力為 500 Pa，可以對(duì)要求*嚴(yán)苛的絕緣體進(jìn)行成像。

通過(guò)這些優(yōu)勢(shì)（包括復(fù)合末級(jí)透鏡、高級(jí)探測(cè)和靈活樣品處理），Apreo 可提供出色的性能和多功能性，幫助您應(yīng)對(duì)未來(lái)的研究難題。

體驗(yàn) Apreo SEM 帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)

·獨(dú)有的復(fù)合末級(jí)透鏡可在任何樣品（即使在傾斜時(shí)或進(jìn)行地形測(cè)量時(shí)）上提供優(yōu)異的分辨率（1 kV 電壓下為 1.0 nm），而無(wú)需進(jìn)行電子束減速。

·作用極大的背散射探測(cè) - 始終保證良好的材料對(duì)比度，即使以低電壓和電子束電流并以任何傾斜角度對(duì)電子束敏感樣品進(jìn)行 TV 速率成像時(shí)也不例外。

·無(wú)比靈活的探測(cè)器 - 可將各個(gè)探測(cè)器部分提供的信息相結(jié)合，獲得至關(guān)重要的對(duì)比度或信號(hào)強(qiáng)度。

·各種各樣的電荷緩解策略，包括樣品倉(cāng)壓力**為 500 Pa 的低真空模式，可實(shí)現(xiàn)任何樣品的成像。

·**的分析平臺(tái)提供高電子束電流，而且光斑很小。樣品倉(cāng)支持三個(gè) EDS 探測(cè)器、共面的 EDS 和EBSD 以及針對(duì)分析進(jìn)行了優(yōu)化的低真空系統(tǒng)。

·樣品處理和導(dǎo)航極其簡(jiǎn)單，具有多用途樣品支架和 Nav-Cam+。

·通過(guò)高級(jí)用戶指導(dǎo)、預(yù)設(shè)和撤消功能為新用戶提供專家級(jí)結(jié)果。

Apreo FAQ

在切換到低真空模式之前，是否需要插入 GAD 探測(cè)器？

低真空模式可在沒(méi)有安裝任何配件的情況下使用。可達(dá)到的壓力范圍將達(dá)到 50 Pa。使用壓力限制孔 (PLA)，如氣體分析探測(cè)器 (GAD)，結(jié)果將進(jìn)一步改善。此外，借助 GAD，壓力**可以達(dá)到 500 Pa。

浸沒(méi)透鏡的“選配”是什么意思？

配置系統(tǒng)時(shí)不需要浸沒(méi)透鏡，如果安裝，也不需要使用。每個(gè) Apreo 可在 1 kV 下實(shí)現(xiàn) 1.3 nm 分辨率。通過(guò)安裝和激發(fā)浸沒(méi)透鏡，可在 1 kV 下提高到 1.0 nm。此外，還提供了額外的復(fù)合透鏡過(guò)濾功能。

靜電鏡筒關(guān)閉時(shí)，您可以使用浸沒(méi)嗎？

原則上來(lái)說(shuō)沒(méi)有。加速管和浸沒(méi)透鏡均打開(kāi)時(shí)可以獲得**效果。沒(méi)有僅用于浸沒(méi)的明確使用情況。默認(rèn)情況下，Apreo 在操作時(shí)開(kāi)啟加速管，在必要時(shí)開(kāi)啟浸沒(méi)。

鏡筒內(nèi)探測(cè)器（T1、T2、T3）是否能在 TV 速率下工作？

是的，可以工作。

您說(shuō)在傾斜樣品上不可能實(shí)現(xiàn)電子束減速。為什么？

電子束減速 (BD) 在樣品和極片之間形成了一個(gè)靜電場(chǎng)。使用傾斜的樣品，場(chǎng)線將成一定角度，這會(huì)在圖像中導(dǎo)致歪曲。這也發(fā)生在具有較大地形特征的樣品上。因此，即使 BD 是一個(gè)非常有用的功能，并且是 Apreo 的標(biāo)配功能，它也不能在所有情況下使用。因此，Apreo 不依靠 BD 來(lái)實(shí)現(xiàn)其分辨率。對(duì)于浸沒(méi)系統(tǒng)，在不使用 BD 時(shí)，在 1 kV 下的分辨率為 1.0 nm，在不使用浸沒(méi)透鏡時(shí)，在 1 kV 下的分辨率為 1.3 nm。