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有新突破，就有新發(fā)現(xiàn)！

95%@550nm， 超高量子效率

Dhyana 400BSI采用背照式sCMOS減薄芯片技術(shù)，可以避免光線受布線層的干擾，提高受光面積進(jìn)而提高光電轉(zhuǎn)換率，如圖所示：在550納米處，量子效率高達(dá)95%，這是普通前照式sCMOS相機(jī)所不能比擬的，甚至可以和目前**水平的EMCCD相機(jī)相媲美！

<1.0e-@CMS， 超低讀出噪聲

背照式技術(shù)開啟了sCMOS高靈敏應(yīng)用的新時(shí)代，而更加令人振奮的是，利用CMS數(shù)據(jù)處理技術(shù)，Dhyana400BSI取得了讀出噪聲小于1個(gè)電子的關(guān)鍵突破!這將為成像領(lǐng)域帶來(lái)無(wú)可比擬的信噪比優(yōu)勢(shì)！

什么是 "CMS "?

CMS全稱相關(guān)多重采樣（correlated multiple sampling），利用芯片上下兩通道同時(shí)傳輸圖像的模式，同步對(duì)圖像做疊加處理，從而達(dá)到降低讀出噪聲的目的。

內(nèi)置信號(hào)增強(qiáng)算法 ，進(jìn)一步提升信噪比

Dhyana 400BSI內(nèi)置信號(hào)增強(qiáng)算法可有效提高圖像信噪比，如圖所示，經(jīng)過(guò)算法改善后圖像信噪比得到了顯著提高。

6.5μm尺寸，更高的圖像分辨率

Dhyana400BSI不僅在量子效率和讀出噪聲兩個(gè)兩個(gè)關(guān)鍵性能上取得了突破，還使用了更小6.5微米像素尺寸，這是在顯微成像中能夠獲得更多的分辨率細(xì)節(jié)的關(guān)鍵因素。如圖所示，在相同的曝光時(shí)間下，Dhyana400BSI有著更優(yōu)異的細(xì)節(jié)表現(xiàn)力，可以讓您在更多超高分辨應(yīng)用領(lǐng)域，看到更多可能！

應(yīng)用案例參考: STORM 超分辨成像

STORM隨機(jī)光學(xué)成像顯微技術(shù)是目前應(yīng)用*廣、分辨率**的超分辨方法之一，它要求相機(jī)在可見光范圍內(nèi)具有高量子效率、高幀率和低噪聲等性能優(yōu)勢(shì)，其空間分辨率由單分子定位精度和奈奎斯特分辨率同時(shí)確定。

產(chǎn)品參數(shù)