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氮化鋁晶體生長爐品牌
哈爾濱科友產(chǎn)地
黑龍江樣本
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設(shè)備概述
氮化鋁晶體生長爐主要用于物理氣相傳輸法（PVT）生長大尺寸、高質(zhì)量AlN單晶。
設(shè)備優(yōu)勢
1、建立溫場與AlN半導體晶體生長動力學的精準關(guān)系，揭示晶體結(jié)晶和動力學過程，解決擴徑難、易開裂等生長難點科學問題。
2、優(yōu)化坩堝和溫場梯度結(jié)構(gòu)的設(shè)計，實施動態(tài)檢測晶體生長過程和溫場邊界條件，自主搭建國際上**大尺寸AlN單晶生長爐。
3、解析AlN晶體缺陷結(jié)構(gòu)和性能參數(shù)之間的關(guān)系，建立高質(zhì)量、低缺陷AlN半導體單晶的退火工藝，有力解決AlN晶體缺陷富集的難點問題。
設(shè)備參數(shù)
| 反應器尺寸 | 直徑500mm x 900mm | 電源頻率，HZ | 50±1 |
**操作溫度2600° C （氬氣中） | 相數(shù) | 3 | |
| 工作氣體 | 氬氣，氮氣 | 壓縮氣體，Mpa | 0.6 |
| **真空值 Torr | 10-5 Torr | **功率，kw | 50 |
| 電源功率 kw | 75kw | 晶體生長天數(shù)，天 | 7 |
| 電源工作頻率 kHz | 15kHz | 氮氣消耗量，m3/爐 | ≤6 |
| 自動化參數(shù)控制系統(tǒng) | 電極接法 | △ | |
| 冷卻系統(tǒng) | 20kW冷卻裝置（閉合電路） | 設(shè)備外形尺寸（長x寬x高）mm | 1920x920x2790 |
| 電源電壓，V | 380±19 | **電流，A | 90 |
| 輸出電壓，V | 500-550 |
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