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砷化鎵中壓?jiǎn)尉t,是在惰性氣體環(huán)境中,以石墨電阻加熱器加熱,使半導(dǎo)體材料熔化,用VB法生長(zhǎng)無錯(cuò)位單晶的設(shè)備。也可采用VGF法或采用VB與VGF法結(jié)合的方法實(shí)現(xiàn)GaAs單晶生長(zhǎng)。
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