參考價(jià)格
面議型號(hào)
LFT1200C 200D66CL 高真空管式爐制樣臺(tái)品牌
康帕因產(chǎn)地
安徽樣本
暫無非金屬電熱元件:
其他金屬電熱元件:
其他燒結(jié)氣氛:
真空溫控精度:
-最高溫度:
-額定溫度:
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設(shè)備簡介:
該設(shè)備用于對(duì)樣品中殘余汞蒸發(fā)、過濾,整個(gè)系統(tǒng)由蒸發(fā)裝置、冷凝裝置和真空系統(tǒng)三部分組成。加熱系統(tǒng)分低溫和高溫加熱兩種,可對(duì)不同樣品處理。冷凝裝置為二級(jí)冷凝設(shè)計(jì),確保對(duì)汞蒸氣充分冷凝過濾,真空系統(tǒng)可對(duì)兩套系統(tǒng)同時(shí)抽真空,可可獨(dú)立處理。
技術(shù)參數(shù):
1、低溫蒸發(fā)器
加熱元件:氧化鋁加熱毯
保溫材料:氧化鋁纖維毯
常用溫度:100-150℃
升溫速錄:升溫只120℃時(shí)間小于30min
控溫精度:±1℃
熱電偶:K型熱電偶,內(nèi)置固定
控溫儀表:PID程序控溫
石英管:異形Φ55*200+Φ55*332.5mm(可根據(jù)要求定制)
密封方式:石英管采用端面密封形式,密封法蘭內(nèi)置無油硅膠墊
2、高溫蒸發(fā)器
加熱元件:電阻絲
保溫材料:氧化鋁纖維
常用溫度:1500℃
控溫精度:±1℃
加熱區(qū)長度:200mm
熱電偶:K型熱電偶
升溫速度:10°/min
控溫儀表:PID程序控溫
石英管:異形Φ66*900mm(可根據(jù)要求定制)
密封方式:石英管采用端面密封形式,密封法蘭內(nèi)置無油硅膠墊
3、冷凝裝置
該冷凝裝置分兩部分,均使用液氮冷卻,低溫蒸發(fā)管下端為一級(jí)冷凝,液氮槽使用保溫材料
可**限度利用液氮冷冷卻效果,二級(jí)冷凝為不銹鋼雙層結(jié)構(gòu),方便對(duì)液氮罐清洗和維護(hù)。
低溫 蒸發(fā)液氮槽尺寸:Φ170*70mm(內(nèi)尺寸)
材料:適用于液氨環(huán)境, 并具有定的保溫功能。
二級(jí)冷凝: 液氨罐尺寸,Φ100*150mm
管道均使用內(nèi)外雙拋無油管路
攻備預(yù)留進(jìn)氣接口,可向制樣系統(tǒng)內(nèi)通入氮?dú)饣蛘邏嚎s空氣,進(jìn)氣接口為6mm卡套接頭
4、真空系統(tǒng)
采用先進(jìn)的渦旋形狀和端封技術(shù),可提供世界一流的真空性能
運(yùn)行安靜,噪音僅為52 dB(A), 對(duì)環(huán)境影響極小
控制功能采用智能化設(shè)計(jì),易于使用,操作簡單
服務(wù)期長達(dá)五年之久,攤薄了擁有成本
采用密封結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了無潤滑劑真空環(huán)境
泵系列包括6、10、15和20m3h-1
暫無數(shù)據(jù)!
合肥康帕因區(qū)熔爐 LFT1200C 30D50 QR該區(qū)域熔融爐設(shè)計(jì)為有機(jī)材料或無機(jī)材料區(qū)域融化提純使用,爐體加熱區(qū)長度60mm,伺服電機(jī)經(jīng)過PLC控制以緩慢平穩(wěn)的速度推進(jìn),行進(jìn)速度可調(diào),最高使用可達(dá)
合肥康帕因煅燒爐LFT1200C φ40 煅燒爐如圖所示,集控制系統(tǒng)與爐膛為一體。爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料,加熱元件為優(yōu)質(zhì)硅碳棒。石英腔體橫穿于爐體中間作為爐管,爐管兩端用不銹鋼法
合肥康帕因單溫區(qū)立式滑軌爐該設(shè)備為1200℃開啟式真空管式爐,不僅可以抽真空,也可以通氣體保護(hù)。爐管工件橫穿于上下共8組進(jìn)口電阻絲的爐膛,溫場(chǎng)均勻。該設(shè)備廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體、納米材料、碳纖維、石墨烯等新
催化反應(yīng)真空管式爐爐體小巧,升溫速度極快,它不僅可以抽真空,也可以通氣體保護(hù),其結(jié)構(gòu)使得拆裝爐管方便,操作簡捷,設(shè)備配有觀察窗口,透明石英管腔體可直觀的觀察到內(nèi)部工作狀態(tài),配合氣路,等離子體等實(shí)驗(yàn)條件
管式爐和馬弗爐如何更好選擇呢?在實(shí)驗(yàn)室里,管式爐和馬弗爐是兩種常見的高溫加熱設(shè)備,它們看似功能相似,但實(shí)際上在結(jié)構(gòu)、用途和加熱方式上有著顯著的區(qū)別。很多科研新手在選擇實(shí)驗(yàn)設(shè)備時(shí),常常會(huì)糾結(jié):到底該用管
合肥康帕因1700系列單溫區(qū)真空提拉爐 LFT1700C 100D80-TSSG VC該設(shè)備為真空或者氣氛保護(hù)條件下的晶體生長設(shè)備,樣品處理位于剛玉管內(nèi),剛玉管兩端均有真空法蘭密封。上端通過壓縮波紋管