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化合積電采用微波等離子體化學氣相沉積設備，在50.8 mm(2英寸)硅基氮化鎵HEMT上實現<10um厚度多晶金剛石材料的外延生長。采用掃描電子顯微鏡及X射線行射儀對金剛石薄膜的表面形貌、結晶質量以及晶粒取向進行表征測試，結果顯示:樣品表面形貌較為均勻，金剛石晶粒基本表現為(111)面生長，具有較高晶面取向。在生長過程中有效避免了氮化鎵(GaN)被氫等離子體刻蝕，使得金剛石鍍膜前后氮化鎵特性未發生明顯變化。
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