參考價(jià)格
面議型號(hào)
LQS-01S 400D100 1000HVG品牌
康帕因產(chǎn)地
安徽樣本
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一、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介
該設(shè)備主要用于實(shí)現(xiàn)樣品的無(wú)氧無(wú)水真空密封保存和高溫固相合成,整套系統(tǒng)由真空封管系統(tǒng)、真空泵系統(tǒng)、分子泵系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、氫氧機(jī)等組成,標(biāo)準(zhǔn)化定制石英管和石英柱保證其特殊設(shè)計(jì)的管接頭精確匹配,從而進(jìn)一步提升石英管的密封性,實(shí)現(xiàn)更高標(biāo)準(zhǔn)的真空封管。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):
1、石英管壁和內(nèi)置石英柱高溫熔接。
2、動(dòng)密封自動(dòng)旋轉(zhuǎn),操作簡(jiǎn)單,受熱均勻。
3、真空系統(tǒng)加裝旁抽系統(tǒng),粉末不易被抽出。
4、高真空管接頭連接,密封性好、真空度高。
5、結(jié)構(gòu)緊湊,精密設(shè)計(jì),體積小巧,操作方便。
6、氫氧機(jī)電解水產(chǎn)氣,即產(chǎn)即用,安全環(huán)保也可自配氣源。
7、該設(shè)備經(jīng)過(guò)特殊設(shè)計(jì),旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)和溫區(qū)升降機(jī)構(gòu)采用電機(jī)控制設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)爐管旋轉(zhuǎn),溫區(qū)升降。
8、該設(shè)備操作方便,即學(xué)即用,安全可靠。
二、技術(shù)參數(shù)
型號(hào) | LQS-01S 400D100 1000HVG |
設(shè)備重量 | 200KG |
外型尺寸(長(zhǎng)×深×高) | 900*750*1800mm |
額定功率 | 4KW |
額定電壓 | AC220V 50/60H |
**溫度 | 1200℃ |
額定溫度 | ≤1100℃ |
升溫速率 | ≤10℃/min |
控溫精度 | ±1℃ |
控溫方式 | 模糊 PID 程序控溫 (自整定調(diào)節(jié) 30段可調(diào)程序控溫) |
熱電偶型號(hào) | K型 |
加熱元件 | 電阻絲 |
加熱區(qū)長(zhǎng)度 | 400mm |
爐管尺寸 (可根據(jù)客戶要求訂制) | Φ12*190+Φ42*260mm 壁厚1.5mm (異形結(jié)構(gòu)) |
旋轉(zhuǎn)速度 | 0-15轉(zhuǎn)/min |
進(jìn)氣接頭 | Φ6 |
整機(jī)漏率 | 2*10-10 Pam3/S |
真空度 | ≤10-3 Pa |
暫無(wú)數(shù)據(jù)!
合肥康帕因區(qū)熔爐 LFT1200C 30D50 QR該區(qū)域熔融爐設(shè)計(jì)為有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料區(qū)域融化提純使用,爐體加熱區(qū)長(zhǎng)度60mm,伺服電機(jī)經(jīng)過(guò)PLC控制以緩慢平穩(wěn)的速度推進(jìn),行進(jìn)速度可調(diào),最高使用可達(dá)
合肥康帕因煅燒爐LFT1200C φ40 煅燒爐如圖所示,集控制系統(tǒng)與爐膛為一體。爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料,加熱元件為優(yōu)質(zhì)硅碳棒。石英腔體橫穿于爐體中間作為爐管,爐管兩端用不銹鋼法
合肥康帕因單溫區(qū)立式滑軌爐該設(shè)備為1200℃開(kāi)啟式真空管式爐,不僅可以抽真空,也可以通氣體保護(hù)。爐管工件橫穿于上下共8組進(jìn)口電阻絲的爐膛,溫場(chǎng)均勻。該設(shè)備廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體、納米材料、碳纖維、石墨烯等新
催化反應(yīng)真空管式爐爐體小巧,升溫速度極快,它不僅可以抽真空,也可以通氣體保護(hù),其結(jié)構(gòu)使得拆裝爐管方便,操作簡(jiǎn)捷,設(shè)備配有觀察窗口,透明石英管腔體可直觀的觀察到內(nèi)部工作狀態(tài),配合氣路,等離子體等實(shí)驗(yàn)條件
管式爐和馬弗爐如何更好選擇呢?在實(shí)驗(yàn)室里,管式爐和馬弗爐是兩種常見(jiàn)的高溫加熱設(shè)備,它們看似功能相似,但實(shí)際上在結(jié)構(gòu)、用途和加熱方式上有著顯著的區(qū)別。很多科研新手在選擇實(shí)驗(yàn)設(shè)備時(shí),常常會(huì)糾結(jié):到底該用管
合肥康帕因1700系列單溫區(qū)真空提拉爐 LFT1700C 100D80-TSSG VC該設(shè)備為真空或者氣氛保護(hù)條件下的晶體生長(zhǎng)設(shè)備,樣品處理位于剛玉管內(nèi),剛玉管兩端均有真空法蘭密封。上端通過(guò)壓縮波紋管