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半導體級CVD單晶金剛石
半導體級CVD單晶金剛石

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半導體級CVD單晶金剛石

品牌

上海征世

產地

上海

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上海征世科技股份有限公司

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目前,第四代半導體材料主要是以金剛石(C)、氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AlN)為代表的超寬禁帶(UWBG)半導體材料,禁帶寬度超過4.0 eV。相對于硅材料(**代)、氮化鎵(第三代)、碳化硅(第三代)等,金剛石半導體材料的禁帶寬度高,**優勢在于更高的載流子遷移率、更高的擊穿電場、更大的熱導率。金剛石具有室溫下**的熱導率,可以滿足未來大功率、強電場和抗輻射等方面的需求,是制作功率半導體器件的理想材料,在智能電網、軌道交通等領域有著廣闊的應用前景。


飽和漂移速度 /
(×107 cm/s)
載流子遷移率 /
(cm2/Vs)



半導體材料禁帶寬度/eV電子空穴電子空穴擊穿場強/ (MV/cm)介電常數導熱率/(W/mK)
Si1.11.10.81 5004500.311.9150
4H-SiC3.21.91.21 0001202.59.66490
GaN3.452.5-1 50020058.9130
Ga2O34.92-300-89.9323
金剛石5.472.51.44 5003 800105.72 200


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