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4英寸半絕緣型襯底
技術成果
零微管密度控制技術
單一晶型控制技術
包裹物控制技術
電阻率控制技術
雜質調控技術
襯底臺階寬度控制技術
| 直徑 | 99.5 mm-100.0 mm | |
| 晶型 | 4H | |
| 厚度 | 500 μm±15 μm | |
| 晶片方向 | 無偏轉角度：向<0001>偏轉 ± 0.5° | |
| 微管密度 | ≤ 1 cm-2 | |
| 電阻率 | ≥ 1 E10 Ω·cm | |
| 主定位邊方向 | {10-10} ±5.0° | |
| 主定位邊長度 | 32.5 mm ± 2.0 mm | |
| 次定位邊長度 | 18.0 mm ± 2.0 mm | |
| 次定位邊方向 | 硅面朝上：從主定位邊順時針旋轉 90° ± 5.0° | |
| 邊緣去除 | 3 mm | |
| 局部厚度變化/總厚度變化/彎曲度/翹曲度 | ≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | |
| 表面粗糙度 | 拋光 Ra≤ 1 nm | |
| CMP Ra≤ 0.2 nm | ||
| 邊緣裂紋（強光燈觀測） | —— | |
| 六方空洞（強光燈觀測） | 累計面積 ≤ 0.05% | |
| 多型（強光燈觀測） | —— | |
| 目測包裹物（日光燈觀測） | 累計面積 ≤ 0.05% | |
| 硅面劃痕（強光燈觀測） | —— | |
| 崩邊（強光燈觀測） | 不允許寬度≥ 0.2 mm，深度≥ 0.2 mm | |
| 硅面污染物（強光燈觀測） | —— | |
| 包裝 | 多片卡塞/單片盒包裝 | |
半絕緣碳化硅襯底是半絕緣碳化硅晶體經過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成的單晶薄片。單晶襯底薄片作為第三代半導體的重要原材料，經過異質外延生長、器件制造等環節，可制成碳化硅基射頻器件，是第三代半導體產業發展的重要基礎材料。為滿足客戶對4英寸產品的需求，公司為國內外客戶批量提供具有高性價比的4英寸半絕緣型襯底產品。
下游產品與應用
通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵異質外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片，通過晶圓制造、封裝檢測，可進一步制成微波射頻器件，主要應用于射頻領域，例如5G通訊、相控陣雷達、無線電探測器等。
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