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產品說明
輪廓儀WEP-200E為半導體晶圓材料的邊形檢測設備，主要用于對倒角后的晶圓邊緣進行輪廓檢測，確保晶圓倒角后能達到客戶要求的工藝精度。該設備采用非接觸式測量方式，可測量邊緣倒角形狀、面幅、邊緣崩邊情況等。可自動存儲測量結果，需要時可隨意導出測量數據，專業化水平高，適用于2/3/4/5/6/8/12寸不同材料的晶圓。
產品技術標準
以下圖R型倒角為例：面幅度X1、X2測試精度±10um；R角度測試精度±10um；圓角幅值Y1、Y2精度控制在±10um以內；角度A1、A2測試偏差±0.5°；notch深度Vh和notch寬度Vw精度控制在±1um以內等。
產品規格
項目 | 參數 |
型號 | WEP-200E |
晶圓尺寸 | 2-6英寸、4-8英寸和12英寸 |
晶圓材料 | 硅、鍺、碳化硅、氮化鎵、磷化銦、砷化鎵、藍寶石、鈮酸鋰等半導體晶圓 |
數據讀取和導出 | OK |
邊緣形狀測量功能 | OK |
Notch口形狀測量功能 | OK |
單R、雙R測量功能 | OK |
Notch寬度、深度 | ±1μm |
輪廓角度測量重復精度 | ±1° |
晶圓直徑 | ±1μm |
**測量厚度 | 1600um |
倒角寬幅精度 | ±10um |
厚度精度 | ±5μm |
R精度、R重復精度 | ±5um |
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