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CVDGEPET 7440-44-0品牌
碳豐產地
蘇州樣本
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分類:
單層連續薄膜二硫化鉬薄膜藍寶石基底,
單層連續薄膜二硫化鉬薄膜SIO2/SI基底,
單層連續薄膜二硫化鉬薄膜石英基底
單層三角晶體二硫化鉬薄膜藍寶石基底
單層三角晶體二硫化鉬薄膜SIO2/SI基底
單層三角晶體二硫化鉬薄膜石英基底
基本性質:
無摻雜二硫化鉬是層狀N型半導體,屬于過渡金屬二硫族化合物,塊狀能帶間隙為1.23eV (間接帶隙),單層MoS2帶隙~1.85eV(直接帶隙)。
制造方法:
化學氣相沉積法, Chemical Vapor Deposition (CVD)
產品簡介:
碳豐科技的MoS2薄膜分為多種:
1) 單層離散分布的三角狀單晶晶粒,三角邊長一般是幾十至一百微米。
2) 由三角晶粒繼續長大連在一起的單層連續薄膜。
3) 多層MoS2 連續薄膜。
4) 基底:MoS2可選基底較多,其中*常用的硅片基底、帶氧化層硅片基底和藍寶石基底為直接沉積產品。其他基底例如PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金屬基底等是通過在藍寶石上生長后轉移至客戶所需基底。
應用領域:
光電器件,微電子器件,生物傳感,化學傳感等領域。
包裝及規格
10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圓片,4英寸圓片 或客戶指定的定制尺寸。
凈化抽真空包裝, 1片/盒,5片/盒。10片/盒。
單層MoS2孤立晶粒
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