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主要特點(diǎn)
經(jīng)濟(jì)型臺(tái)式濺射系統(tǒng)
可集成5個(gè)1.5英寸共濺射靶
向上或向下濺射
沉積均勻性+1-2.5% @ 3"(75mm)基片
選配load-lock預(yù)真空室
基片加熱溫度850℃℃，旋轉(zhuǎn)速率0-40rpm，直流和射頻偏壓，50mmZ軸可調(diào)工作距離··真正的共焦沉積系統(tǒng)，滿足單層和多層薄膜沉積應(yīng)用
可集成4路MFC氣路，可進(jìn)行反應(yīng)濺射
計(jì)算機(jī)控制或半自動(dòng)控制
高真空或超高真空
暫無數(shù)據(jù)！
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