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二硅化鉺 ErSi2 稀土硅化物粉末
二硅化鉺 ErSi2 稀土硅化物粉末

參考價格

面議

型號

RDB-FM-ErSi2

品牌

上海研倍

產地

上海

樣本

暫無
上海研倍新材料科技有限公司

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上海研倍新材料 專業生產化合物粉末 二硅化 稀土化物粉末

1、產品信息   

產品名稱

貨號

純度

CAS號

外觀

二硅化鉺RDB-FM-ErSi2

可定制

12020-28-9

粉末

2、產品規格

1、樣品測試包裝客戶指定(<1kg/袋裝)

2、樣品產品包裝(1kg/袋裝)

3、常規產品包裝(1kg/2kg/5kg/10kg)

備注:內:充惰性氣體 外:鋁箔袋真空。可根據客戶要求指定包裝。

3、產品概述

  • 產品名稱:二硅化鉺(Erbium disilicide)

  • 英文名:erbium disilicide

  • 分子式:ErSi?

  • 密度:7.260 g/cm3

  • 分子量:223.43

  • CAS號:12020-28-9

  • 顏色:黑灰色

  • 形貌:不規則

  • 規格:0.8-10um(D50)

  • 特點:良好的導電性

4、產品用途

  • 光電子與光纖通信

    近紅外發光器件:二硅化鉺可作為硅基發光材料,用于集成光路或光通信芯片,特別是在1.5 μm通信波段的光電轉換器件中具有潛力。

  • 摻鉺光纖放大器(EDFA):鉺離子(Er3?)是光纖通信中摻鉺光纖放大器的核心材料,而二硅化鉺可通過納米結構或復合材料形式,在硅基光子學中發揮作用。

  • 磁性材料與自旋電子學

  • 磁存儲技術:利用鉺的強磁各向異性和硅化物的有序結構,二硅化鉺可用于高密度磁記錄介質或自旋電子器件,如磁阻存儲器。

  • 磁制冷材料:某些鉺基化合物在低溫下展現磁熱效應,二硅化鉺可作為新型磁制冷工質的研究對象。

  • 半導體與微電子

  • 集成電路中的低電阻接觸層或肖特基勢壘層:類似其他稀土硅化物(如ErSi?),二硅化鉺可用作集成電路中的低電阻接觸層或肖特基勢壘層,提升器件高頻性能。

  • 高溫半導體:由于其高熔點和穩定性,二硅化鉺適用于高溫電子器件或功率半導體。

  • 核工業與輻射防護

  • 中子吸收材料:鉺的中子俘獲截面較大,二硅化鉺可用于核反應堆控制棒或中子屏蔽組件,但其輻照穩定性需進一步驗證。

  • 催化與能源轉化

  • 催化反應:鉺的催化活性可使二硅化鉺用于甲烷重整、水分解制氫等反應,但需實驗驗證其活性位點與穩定性。

  • 熱電材料:具備高電導率和低熱導率,二硅化鉺可用于廢熱發電裝置。

  • 量子技術

  • 量子比特載體:鉺離子的特殊能級結構(長壽命相干態)可通過二硅化鉺與硅基量子器件的集成,用于固態量子計算平臺。

  • 高溫結構材料

  • 極端環境涂層:二硅化鉺的高溫抗氧化性可用于航空發動機葉片涂層或核聚變裝置內壁保護層,需結合增韌材料解決脆性問題。

  • 5、存儲條件

  • 遵照規定使用和儲存則不會分解。密閉于陰涼干燥環境中。

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