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退火爐主要用于晶體或是晶片在真空環境中的退火工藝環節，消除晶體或晶片內部應力或缺陷，從而提高晶體或晶片加工性能和品質。
性能優勢
1、腔體內部經鏡面拋光，減少氧化物附著，具有高真空獲得能力與長時間保壓能力，可以實現自動工藝方式；
2、控溫精度可達±0.5℃，實現橫向和縱向的溫度梯度均≤0.5℃/cm。
晶體尺寸 6 ~ 12英寸
工藝 退火處理
加熱方式 電阻式
基本參數 主機尺寸 根據選型對應不同尺寸
整機重量 約2.2 ~2.7T
支持系統 電 源 容 量 25kVA
電 壓 AC380V, 3P, 50Hz
冷 卻 水 壓 力 0.35~0.5MPa
流 量 ＞120L/min
工藝氣體 壓 力 ＞0.2MPa
壓縮空氣 壓 力 0.5 ~ 1.0MPa
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