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暫無看了雙通AAO 多孔陽極氧化鋁 AAO模板 PAA AAO過濾膜 多孔鋁 無機膜的用戶又看了
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有獎征圖
目前,膜的重要作用正廣為大家所認知,深圳拓撲精膜科技有限公司()為了滿足廣大用戶對AAO模板、AAO濾膜、單通AAO模板、雙通AAO模板以及其它定制類產品的需求,充分調動和鼓勵用戶對產品本身以及產品應用的興趣,公司將不斷完善各類AAO產品的進一步研發生產,提供高性能的產品服務大家!
現面向廣大AAO產品用戶,征集實驗圖例方案,并將征集辦法公告如下:
一、征集要求
1. 凡是使用AAO相關產品所取得的圖片均滿足要求(包括AAO材料本身以及用AAO產品制備的任何材料所得到的圖片);
2. 圖片可以是光學圖、SEM圖、AFM圖等表現形式;
3. 圖片的提供者不限于公司客戶,所有用戶均可參賽;
二、征集方式
1.征集時間:自公布之日起至2017年9月30日止。
2.征集內容:AAO膜實驗電子版圖例(JPG格式,并附100字左右文字說明)發送至郵箱: nano@topme***********
3.來稿須注明聯系電話、公司或高校名稱、聯系人姓名(以備獲獎聯系)。
郵件格式:
標題:AAO參賽圖
內容:姓名——公司或高校名稱——聯系電話
描述:100字左右
圖片附件。
三、獎項設置
1. 本期征集為**期,本期征集活動設**圖片獎1名,獎品為高檔空氣凈化器1臺;
2. 所有成功參賽者均可在下次訂購產品或9折優惠。
四、其它事宜
1.所有征集作品設計版權歸作者所有,應征作品必須是作者自己研究所得,不得拷貝;
2.本次征集作品由“深圳拓撲精膜科技有限公司”組織相關技術專家組成評審組進行評審,評審組將于2017年10月15日前完成評審,并通知獲獎作品的作者。
對稱型雙通AAO模板
圖1. 一個典型的對稱型雙通AAO模板正反面孔的SEM圖
對稱型雙通AAO(Anodic Aluminum Oxide)納米模板,我們的雙通AAO是兩面有序的模板,膜的正反面的孔排列均為短程高度有序,如圖1所示。所有孔均為通孔結構,兩面孔形狀均為近似正圓形狀,排列短程有序。排列方式為六角密排,孔徑均一,孔徑幾十到幾百納米可調,內部孔道筆直平行不交叉,如圖2所示。當雙通AAO厚度小于1μm時稱之為超薄AAO模板(可以參考公司網站:拓撲精膜),需要額外的支撐體,而當膜厚幾十微米時,所以它可以獨立自支撐,并有一定的強度和彈性,可以用鑷子直接夾起。AAO模板材質是Al2O3,因而它可以耐高溫。除了作為濾膜使用之外,還可以作為模板制備一維納米材料。
圖2. 一個典型的對稱型雙通AAO模板截面SEM圖
圖3. 對稱型雙通AAO模板的結構示意圖
圖4. 一個典型的產品的實物圖(直徑25mm)
圖5. 產品的放置示意圖
圖6. 不同尺寸的AAO模板
插圖。產品近距離透明性。孔中心間距分別為(a)65nm, (b)100nm, (c)125nm, (d)450nm.
對稱型雙通AAO模板有正反面,有時正面孔徑與反面孔徑略不同。產品包裝盒貼有公司logo的為盒蓋,包裝時,膜反面向上。由于膜比較薄和脆,所以用鑷子夾取時要輕拿輕放,采用扁口鑷子。
溫馨提示:包裝盒內,AAO膜之間放置了圓形隔紙片,紙片直徑28mm,請不要與AAO膜混淆。
對稱型雙通AAO模板可以采用5wt%的磷酸進行慢速去除,或采用NaOH進行快速去除。前者腐蝕速度可控,后者為不可控制。模板 可以采用SEM或AFM對膜進行表征。由于雙通AAO模板本身不導電,所以在SEM測試時請進行噴金或噴碳處理。截面觀察時,可以將膜輕輕折斷形成新鮮斷面,對斷面進行表征。
AAO膜是親水性的,能與大多數溶劑和水溶液相容。因生產過程中不另加單體、高分子物質、表面活性劑或潤濕劑避免了樣品污染。除了作為無機過濾膜在過濾方面使用之外,還可以作為納米模板,使用諸如電化學沉積等方法制備一維納米材料。
溫馨提示:AAO模板為自下而上的方法制備,屬于自組織結構,因此它的孔徑都有一定的分布范圍,而不是單一值,特別是孔間距450nm的模板不均勻性略大一些。孔的排列為短程有序(微米級),每個有序區域可稱為一個“籌”,在籌邊界處孔的形狀可能大都不是正圓形。超薄膜的孔徑分布比雙通厚膜以及單通膜寬一些。如果您對多孔膜的孔徑均勻程度要求非常高,對孔的圓形程度要求非常高,那么AAO并不是好的選擇。
如果需要更詳細全面的產品介紹,請您訪問我們公司網站(公司網址: )中的產品介紹。
注意:包裝盒內,AAO膜之間放置了圓形隔紙片,紙片直徑約28mm,顏色為白色,請不要與AAO膜混淆。
具體產品規格請聯系我們。
Technical Data:
AAO膜6月折扣活動,購滿800元立享九折!!!公司網址:
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利用二次氧化法制備了高度有序的多孔陽極氧化鋁膜,以此膜為模板通過磁控濺射制備了多孔有序的Pt/Ag雙層金屬薄膜,將此金屬薄膜轉移到n型單晶硅片上,通過金屬輔助化學刻蝕法刻蝕出有序單晶硅納米線陣列.原子
磁性奈米線陣列擁有高密度、高比表面積、高深寬比等特性,對於磁性儲存元件應用有良好潛力,而為了以低廉的成本並快速製作鈷奈米線陣列,本研究使用陽極氧化鋁(anodic aluminum oxide,AAO