中國粉體網訊 20世紀50年代起半導體材料開始發展，至今為止開啟了第三代半導體的時代。碳化硅（SiC）憑借眾多優良性能，使其成為基于寬帶隙半導體的高溫、高電壓、大功率、高頻電子器件和傳感器的襯底上的理想材料。與此同時，近年來[更多]
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