推薦以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)價(jià)技術(shù)取得突破

中國粉體網(wǎng)訊 以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具備高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及抗強(qiáng)輻射能力等優(yōu)異性能，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用[更多]