光電子材料與器件技術對于社會進步和整體科技發展影響巨大，該領域技術的發展對國民經濟、社會發展與安全以及其他相關技術的發展影響深刻，并具有良好的產業應用前景。
上世紀80年代初以氮化鎵材料P－型摻雜的突破為起點，以高效率藍綠光發光二極管和藍光半導體激光器的研制成功標志著第三代半導體材料的興起。如用高效率藍、綠、紅光發光二極管制作的超大屏幕全色顯示，可用于室內室外各種場合的動態信息顯示。高效率白光發光二極管作為新型高效節能固體光源，使用壽命超過十萬小時，為白熾燈耗電的1／5～1／10，達到了節約資源、減少環境污染雙重目的，在世界范圍內將引發照明電光源的一場劃時代的革命。據專家預測，在未來10年
里，氮化鎵材料將成為市場增幅最快的半導體材料，到2006年將達到30億美元的產值，占化合物半導體市場總額的20％。同時，作為新型光顯示、光存儲、光照明、光探測器件，可促進上千億美元相關設備、系統的新產業的形成。
光纖通信技術作為現代信息社會的支柱產業，特別是作為世界各國正在實施的“國家信息基礎設施”建設的重要組成部分，備受重視和關注。在我國，光纖通信市場以每年超過20％的速度遞增。到2001年底，全國敷設光纜總量達146萬千米，全國長途光纜網通達全國除少數偏遠地區外的縣以上城市。光纖通信技術已經成為我國當代信息領域的支柱技術。
據了解，光電子材料與器件技術領域的發展特點是對基礎突破和工藝創新的依賴性強，因此國家“863”新材料領域辦確立了四個重點發展的方向：人工晶體和全固態激光器、寬禁帶半導體發光和激光、光電集成材料和器件、密集波分復用以及光通訊用關鍵器件。
寬禁帶半導體發光和激光方面，研究以GaN基藍光和綠光LED器件制備技術的有兩個單位取得突破性進展。清華大學的羅毅教授所主持的項目組成功地將20mA電流時二極管正向電壓降低到3.5V左右，反向漏電流降低到4uA以下。優化生長條件及器件制作工藝，提高了亮度，使得LED的亮度得到了成倍的增長，達到藍光管的發光功率在2mW以上，綠光管的發光功率在1mW以上。目前，該項目產業化成果也很顯著，已獲得1000萬產值，50萬稅收和100萬利潤。中科院物理研究所的陳弘教授項目組采用了與國際上不同的三步生長法，較大程度地提高了GaN緩沖層的質量，使得該層的X射線掃描半峰寬達到了182秒。同時使發光二極管的發光效率提高到了3mW（20mA），透明電極的材料的透過率超過70％，改善了藍寶石減薄后的平整度，提高劃片的成品率達到80％，并實現了300萬人民幣的小批量銷售。
光電集成芯片技術是光纖通信的最核心技術，是我國發展光纖通信產業必須取得突破的戰略性技術。“十五”863計劃光電子材料及器件主題將這一關鍵技術列為重大研究課題，在第一批立項啟動的課題中，東南大學射頻與光電集成電路研究所、武漢郵電科學研究院、中科院半導體所、電子十三所等多家國內最具優勢的研發、制造和應用單位聯合承擔了光電集成芯片技術這一重大研究課題。經過一年多的共同努力，已經取得全面進展，取得一系列研究成果。
在光子集成（PIC）方面，中國科學院半導體研究所和清華大學承擔的高速DFB＋EA集成光源芯片及模塊均取得了階段性進展。同時，中國科學院上海微系統與信息技術研究所與上海新傲科技有限公司合作，在光子集成SOI材料規模化生產技術方面，引進基于SIMOX技術的整條SOI圓片生產線，通過較為深入的研究，生產出了厚膜SOI圓片需要的襯底，并初步完成了光通信用厚膜SOI圓片樣品的開發。武漢郵電科學研究院已完成了40通道陣列波導光柵（AWG）復用／解復用器芯片及模塊目標產品研制的設計和相關準備工作。
高速和密集波分復用系統用通訊光電子器件技術研究。以武漢郵電科學研究院為代表的相關國內最具優勢的產業和研究單位聯合承擔了這一重大課題。經過努力，目前各項目取得全面進展，部分項目技術經濟指標優于原定計劃，而且不少項目還根據實際市場和技術發展的需要，動態進行研究，并在項目研究階段性成果的基礎上，進一步進行了規模化生產技術研究，開發出如：分布式喇曼光纖放大器、超寬帶（S＋C＋L波段）光纖放大器、新型密集波分復用／解復用器件、色散／偏振模色散補償技術等，多項具有自主知識產權、總體技術指標優于國際同類先進水平的實用產品并推向市場，從而為這項技術進一步產業化打下良好的基礎，有力地支持了中國在高速和密集波分復用系統方面的研究和開發，并對原有光纖通信網絡系統的升級改造起到積極的促進作用。
有專家說，進入21世紀，以人工晶體為基礎材料的全固態激光器向實用化快速發展。作為替代傳統激光器的新一代激光光源，全固態激光器的發展趨勢是高功率、多波長、寬調諧、長壽命、高穩定性；而對于作為其基礎材料的人工晶體，趨勢是發展半導體激光泵浦的激光晶體和紫外、深紫外以及中紅外波段非線性光學晶體。這一項目的相關課題已于2002年全面啟動。
在2001年啟動的項目中，南開大學孔勇發所負責的“大尺寸、高均勻性近化學計量比鈮酸鋰晶體的生長與產業化技術”項目利用氣相傳輸平衡處理技術能夠一次同時處理20mm′20mm′1.2mm的同成分鈮酸鋰晶體片20片，其［Li2O］的含量在49.95mol％以上，均勻性達到±0.02mol％。處理的摻鎂鈮酸鋰晶片的抗光折變能力超過了26MW／cm2，比同成分鈮酸鋰晶體高6個量級以上，比被譽為“中國之星”的高摻鎂鈮酸鋰晶體高4個量級以上，為目前已有文獻報道之最，稱之為“中國之星Ⅱ”，將大幅度提升全固態激光器的性能。中國科學院半導體研究所馬曉宇所負責的“808nm連續100W光纖輸出大功率激光二極管列陣模塊產業化技術”完成了高質量多片MOCVD外延生長技術研究、高亮度列陣器件的制作技術研究以及高效率LD列陣光纖耦合技術研究，研制出808nm40W／條的樣品，并研制出光纖耦合輸出30W列陣模塊樣品。閾值電流是10A，工作電流為48A時，耦合后激光二極管線列陣的出纖功率為30W，耦合效率為75％，光纖的數值孔徑為0.11毫米，出光口徑是1.07毫米。中心波長808.20nm，半峰值全寬度（FWHM）2.3nm。這一重要指標的突破為人工晶體和全固態激光器的研究和開發創造了良好的基礎。
我國在人工晶體材料領域具有傳統優勢：在紫外深紫外非線性光學晶體材料和人工微結構非線性光學晶體材料研究方面在國際上保持領先地位，數種重要的非線性光學晶體材料是由我國科學家發明的，并擁有自主知識產權；多種人工晶體的生長技術居國際先進水平，一些重要晶體滿足了國內重大工程需求，一批高技術晶體已成為產品，在國際上享有盛譽，但晶體后加工技術是我國的薄弱環節，目前主要以晶體坯料或半成品形式出口，產值和效益還有很大發展潛力；在全固態激光器件和應用研究方面基本與國外同步，中、小功率綠光全固態激光器已經形成批量生產能力。隨著國際競爭的日趨激烈，我國在人工晶體方面仍存在前瞻性新材料和具有自主知識產權的材料研發能力不足的問題，急需加大創新力度，加快發展速度，獲得更多的自主知識產權。
上世紀80年代初以氮化鎵材料P－型摻雜的突破為起點，以高效率藍綠光發光二極管和藍光半導體激光器的研制成功標志著第三代半導體材料的興起。如用高效率藍、綠、紅光發光二極管制作的超大屏幕全色顯示，可用于室內室外各種場合的動態信息顯示。高效率白光發光二極管作為新型高效節能固體光源，使用壽命超過十萬小時，為白熾燈耗電的1／5～1／10，達到了節約資源、減少環境污染雙重目的，在世界范圍內將引發照明電光源的一場劃時代的革命。據專家預測，在未來10年
里，氮化鎵材料將成為市場增幅最快的半導體材料，到2006年將達到30億美元的產值，占化合物半導體市場總額的20％。同時，作為新型光顯示、光存儲、光照明、光探測器件，可促進上千億美元相關設備、系統的新產業的形成。
光纖通信技術作為現代信息社會的支柱產業，特別是作為世界各國正在實施的“國家信息基礎設施”建設的重要組成部分，備受重視和關注。在我國，光纖通信市場以每年超過20％的速度遞增。到2001年底，全國敷設光纜總量達146萬千米，全國長途光纜網通達全國除少數偏遠地區外的縣以上城市。光纖通信技術已經成為我國當代信息領域的支柱技術。
據了解，光電子材料與器件技術領域的發展特點是對基礎突破和工藝創新的依賴性強，因此國家“863”新材料領域辦確立了四個重點發展的方向：人工晶體和全固態激光器、寬禁帶半導體發光和激光、光電集成材料和器件、密集波分復用以及光通訊用關鍵器件。
寬禁帶半導體發光和激光方面，研究以GaN基藍光和綠光LED器件制備技術的有兩個單位取得突破性進展。清華大學的羅毅教授所主持的項目組成功地將20mA電流時二極管正向電壓降低到3.5V左右，反向漏電流降低到4uA以下。優化生長條件及器件制作工藝，提高了亮度，使得LED的亮度得到了成倍的增長，達到藍光管的發光功率在2mW以上，綠光管的發光功率在1mW以上。目前，該項目產業化成果也很顯著，已獲得1000萬產值，50萬稅收和100萬利潤。中科院物理研究所的陳弘教授項目組采用了與國際上不同的三步生長法，較大程度地提高了GaN緩沖層的質量，使得該層的X射線掃描半峰寬達到了182秒。同時使發光二極管的發光效率提高到了3mW（20mA），透明電極的材料的透過率超過70％，改善了藍寶石減薄后的平整度，提高劃片的成品率達到80％，并實現了300萬人民幣的小批量銷售。
光電集成芯片技術是光纖通信的最核心技術，是我國發展光纖通信產業必須取得突破的戰略性技術。“十五”863計劃光電子材料及器件主題將這一關鍵技術列為重大研究課題，在第一批立項啟動的課題中，東南大學射頻與光電集成電路研究所、武漢郵電科學研究院、中科院半導體所、電子十三所等多家國內最具優勢的研發、制造和應用單位聯合承擔了光電集成芯片技術這一重大研究課題。經過一年多的共同努力，已經取得全面進展，取得一系列研究成果。
在光子集成（PIC）方面，中國科學院半導體研究所和清華大學承擔的高速DFB＋EA集成光源芯片及模塊均取得了階段性進展。同時，中國科學院上海微系統與信息技術研究所與上海新傲科技有限公司合作，在光子集成SOI材料規模化生產技術方面，引進基于SIMOX技術的整條SOI圓片生產線，通過較為深入的研究，生產出了厚膜SOI圓片需要的襯底，并初步完成了光通信用厚膜SOI圓片樣品的開發。武漢郵電科學研究院已完成了40通道陣列波導光柵（AWG）復用／解復用器芯片及模塊目標產品研制的設計和相關準備工作。
高速和密集波分復用系統用通訊光電子器件技術研究。以武漢郵電科學研究院為代表的相關國內最具優勢的產業和研究單位聯合承擔了這一重大課題。經過努力，目前各項目取得全面進展，部分項目技術經濟指標優于原定計劃，而且不少項目還根據實際市場和技術發展的需要，動態進行研究，并在項目研究階段性成果的基礎上，進一步進行了規模化生產技術研究，開發出如：分布式喇曼光纖放大器、超寬帶（S＋C＋L波段）光纖放大器、新型密集波分復用／解復用器件、色散／偏振模色散補償技術等，多項具有自主知識產權、總體技術指標優于國際同類先進水平的實用產品并推向市場，從而為這項技術進一步產業化打下良好的基礎，有力地支持了中國在高速和密集波分復用系統方面的研究和開發，并對原有光纖通信網絡系統的升級改造起到積極的促進作用。
有專家說，進入21世紀，以人工晶體為基礎材料的全固態激光器向實用化快速發展。作為替代傳統激光器的新一代激光光源，全固態激光器的發展趨勢是高功率、多波長、寬調諧、長壽命、高穩定性；而對于作為其基礎材料的人工晶體，趨勢是發展半導體激光泵浦的激光晶體和紫外、深紫外以及中紅外波段非線性光學晶體。這一項目的相關課題已于2002年全面啟動。
在2001年啟動的項目中，南開大學孔勇發所負責的“大尺寸、高均勻性近化學計量比鈮酸鋰晶體的生長與產業化技術”項目利用氣相傳輸平衡處理技術能夠一次同時處理20mm′20mm′1.2mm的同成分鈮酸鋰晶體片20片，其［Li2O］的含量在49.95mol％以上，均勻性達到±0.02mol％。處理的摻鎂鈮酸鋰晶片的抗光折變能力超過了26MW／cm2，比同成分鈮酸鋰晶體高6個量級以上，比被譽為“中國之星”的高摻鎂鈮酸鋰晶體高4個量級以上，為目前已有文獻報道之最，稱之為“中國之星Ⅱ”，將大幅度提升全固態激光器的性能。中國科學院半導體研究所馬曉宇所負責的“808nm連續100W光纖輸出大功率激光二極管列陣模塊產業化技術”完成了高質量多片MOCVD外延生長技術研究、高亮度列陣器件的制作技術研究以及高效率LD列陣光纖耦合技術研究，研制出808nm40W／條的樣品，并研制出光纖耦合輸出30W列陣模塊樣品。閾值電流是10A，工作電流為48A時，耦合后激光二極管線列陣的出纖功率為30W，耦合效率為75％，光纖的數值孔徑為0.11毫米，出光口徑是1.07毫米。中心波長808.20nm，半峰值全寬度（FWHM）2.3nm。這一重要指標的突破為人工晶體和全固態激光器的研究和開發創造了良好的基礎。
我國在人工晶體材料領域具有傳統優勢：在紫外深紫外非線性光學晶體材料和人工微結構非線性光學晶體材料研究方面在國際上保持領先地位，數種重要的非線性光學晶體材料是由我國科學家發明的，并擁有自主知識產權；多種人工晶體的生長技術居國際先進水平，一些重要晶體滿足了國內重大工程需求，一批高技術晶體已成為產品，在國際上享有盛譽，但晶體后加工技術是我國的薄弱環節，目前主要以晶體坯料或半成品形式出口，產值和效益還有很大發展潛力；在全固態激光器件和應用研究方面基本與國外同步，中、小功率綠光全固態激光器已經形成批量生產能力。隨著國際競爭的日趨激烈，我國在人工晶體方面仍存在前瞻性新材料和具有自主知識產權的材料研發能力不足的問題，急需加大創新力度，加快發展速度，獲得更多的自主知識產權。
