中國臺灣地區清華大學的研究人員于2010年8月16日宣布，合成了用碳層覆蓋的錫氧化物(SnO2)空心納米球，可用作鋰離子的負極材料。

    在SnO2厚度中的空心納米球為15 nm，在5次循環后顯示出可逆能力為500 mAhg-1。該成果己在美國化學學會《物理化學雜志C（Journal of Physical Chemistry C）》上。研究團隊表示，其有極好的性能與超薄SnO2殼和碳層相維系，它可使體積改變，并可防止錫顆粒在循環過程中的凝聚。

    該材料的電化學性能由于釆用中空結構而顯著改善，并受到SnO2殼體厚度的很大影響。

    錫是有希望考慮作為高能力陽極材料的元素之一，這是基于它有較高的理論能力、有較高的鋰堆積密度和較高的工作電壓。然而，在循環時錫會有較大的體積膨脹和收縮，最終使錫金屬成粒并限制了陽極的循環使用壽命。

    解決方案是制備錫氧化物材料，并設計空心結構材料，從而得以解決。研究表明，同軸SnO2 @納米空心球有高度可逆的鋰存儲能力。研究團隊已開發出帶有不同SnO2殼厚度的碳包復SnO2空心球。SnO2納米球釆用葡萄糖和SnCl2溶液在水熱環境和煅燒條件下進行合成。然后通過水熱處理葡萄糖溶液使碳層被沉積。SnO2殼體在空心結構中的厚度可通過改變SnCl2涂復溶液的濃度予以調整。在0.1 and 1 M SnCl2涂復溶液中 SnO2的厚度分別為15和60nm。見圖1在溶液熱合成中制取的碳包覆SnO2空心納米球具有不同的SnO2厚度。



圖1.  在溶液熱合成中制取的碳包覆SnO2空心納米球具有不同的SnO2厚度