俄羅斯托姆斯克工業(yè)大學的研究人員用碳離子的短脈沖波作用于硅，在硅表面合成納米金剛石粒子和碳粒子，在世界上首次研究成功在其他物質(zhì)表層內(nèi)部合成納米金剛石粒子的方法。這種方法的研究成功能夠改變金屬制品和半導體的某些性質(zhì)，能夠讓某些材料變得更加堅固，提高其耐磨性以及同金剛石鍍層的粘結(jié)強度。這種方法在半導體照明產(chǎn)業(yè)甚至整個半導體工業(yè)具有很好的應用前景，但需要進一步的試驗數(shù)據(jù)提供支撐。該大學的學者認為，由于金剛石納米粒子是在高溫高壓條件下產(chǎn)生，而碳離子總是在發(fā)生伴生作用。因此，這種合成方法不僅可以通過硅實現(xiàn)，也可以在其他物質(zhì)內(nèi)部實現(xiàn)。早在三年前，該大學就開始從事碳離子脈沖試驗，并于2012年獲得碳植入專利，被列入俄羅斯知識產(chǎn)權(quán)局公布的“俄羅斯100項優(yōu)秀發(fā)明專利”之中。
版權(quán)與免責聲明：
① 凡本網(wǎng)注明"來源：中國粉體網(wǎng)"的所有作品，版權(quán)均屬于中國粉體網(wǎng)，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用。已獲本網(wǎng)授權(quán)的作品，應在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明"來源：中國粉體網(wǎng)"。違者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責任。
② 本網(wǎng)凡注明"來源：xxx（非本網(wǎng)）"的作品，均轉(zhuǎn)載自其它媒體，轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負責，且不承擔此類作品侵權(quán)行為的直接責任及連帶責任。如其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)下載使用，必須保留本網(wǎng)注明的"稿件來源"，并自負版權(quán)等法律責任。
③ 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請在作品發(fā)表之日起兩周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
