上海交通大學依托其“金屬基復合材料國家重點實驗室”的雄厚實力，積極推進電子封裝材料研究，并取得了一系列成果。

    電子元器件和集成電路的封裝可以起到散發熱量、機械支持、信號傳遞和密封保護等一系列作用。這就需要電子封裝材料化學穩定性高、導熱性能好、熱膨脹系數小、有較好的機械強度、便于加工、價格低廉和便于自動化生產等。傳統電子封裝材料總是無法同時兼顧以上各種性能的要求，自90年代開始新型封裝材料的研究得到大力發展，各種新材料也不斷涌現。

    電子封裝材料的研究包括確定成型性能、加工性能、服役性能和行為與組織、成分和工藝的關系，鉆研新材料發展中關鍵基礎理論問題，探索適合于高質量、低成本和規模生產的制作方法，逐步實現電子封裝材料體系、組分和工藝的計算機模擬和設計。

　　上海交大研制的Al/SiC復合材料具有理想的電子封裝材料特性，如與電子元件材料匹配的熱脹系數，高熱導率以及低密度，適用于便攜或移動式的集成裝置。此外 Al/SiC價格較低，具有可凈成型的工藝特點，不需要加工或只需要少量加工。因此適用于各種形狀復雜、尺寸精密的封裝場合。而且在制備Al/SiC封裝元件的同時，可使許多不同功能特性的組件集成在一起，這就會大大減少組裝的程序，提高質量，降低成本。目前Al/SiC封裝材料的基本性能可以在以下范圍內調節：熱膨脹系數6.5～8ppm/°C，熱導率120～170 w/m°C,比重≤3g/cm3。同時，還可以根據用戶的要求，制備和加工特殊形狀和特殊組裝的封裝件。此外，他們還在研制Al-Si復合材料和高導熱粘接劑等電子封裝材料。