中國粉體網訊 近日,山東省工信部印發《山東省重點新材料首批次應用示范指導目錄(2023年版)》通知,多項先進陶瓷材料入選。
1、高導熱類球形單晶氧化鋁
性能要求:D50>25μm,氧化鈉<0.05%,氧化鐵<0.02%,氧化硅<0.02%,電導率<60μs/cm,形貌呈類球形大單晶。
應用領域:電子電器、機械、汽車、光學儀器、軌道交通。
2、氮化硅陶瓷材料
性能要求:(1)氮化硅陶瓷基板:最高熱導率>80W/m·k,密度>3.2g/cm3,維氏硬度>1500,抗彎強度>500MPa,斷裂韌性>6MPa·m1/2。(2)氮化硅微珠:粒徑<0.4mm,密度>3.2g/cm3,維氏硬度>1580,抗彎強度>600MPa,斷裂韌性>7MPa·m1/2。
應用領域:電子電器、機械、汽車、光學儀器、軌道交通。
3、高純氮化硅陶瓷粉體
性能要求:α項含量≥90%,O含量≤0.5%,Fe含量≤50ppm,Al含量≤16ppm,粒徑D50≤2μm。
應用領域:電子電器、機械、汽車、光學儀器、軌道交通。
4、管式碳化硅納米陶瓷過濾膜
性能要求:產品尺寸Φ42.5*925mm,膜層孔徑0.1μm,耐酸性≥99%,耐堿性≥99%,耐壓強度0-4MPa,通量500-600L/(M2·h·bar)。
應用領域:化工、食品、冶金。
5、微孔陶瓷過濾膜
性能要求:孔道直徑1~100μm,顯氣孔率≥40%,熟坯抗折≥30MPa,通水量≥5T/Hm3,濾板耐水壓0.3MPa不破裂,濾板的顯氣孔率≥32%,濾板的耐酸(堿)腐蝕質量損失率<2%,濾板陶瓷膜層磨損值<0.08 mm。
應用領域:過濾。
6、片式多層陶瓷電容器用介質材料
性能要求:1)高容 X7R和 X7T瓷粉:介電常數≥2200,介電損耗≤2%,絕緣性能RC≥1000S,介質厚度2~3μm 時產品的溫度特性(-55℃~125℃)無偏壓條件下滿足±15%(X7R)、±33%(X7T),粒度分布 D50:0.35~0.55μm,耐電壓BDV(X7R)、±33%(X7T),粒度分布 D50:0.35~0.55μm,耐電壓 BDV≥50V/μm,滿足 0805X7R475或0805X7T106規格產品的使用要求;
2)高容X5R和X6S瓷粉:介電常數≥3000~4500,介電損耗≤3%,絕緣性能 RC≥1000S,介質厚度2~3μm時產品的溫度特性(-55℃~85℃)無偏壓條件下滿足±15%、產品的溫度特性(-55℃~105℃)無偏壓條件下滿足±22%,粒度分布D50:0.35~0.55μm,耐電壓BDV≥50V/μm,滿足0805X6S106或 0805X5R226規格產品的使用要求;
3)高容值COG瓷粉:介電常數≥32,介電損耗≤0.1%,絕緣性能 RC≥2000S,燒結后晶粒≤2μm,溫度特性(-55℃~125℃)滿足±30ppm/℃,燒結溫度≤1180℃,滿足0805COG103規格產品的使用要求;
4)射頻高QCOG瓷粉:介電常數≤30,介電損耗≤0.1%,絕緣性能 RC≥2000S,燒結后晶粒≤2μm,溫度特性(-55℃~125℃)滿足±30ppm/℃,燒結溫度≤1050℃,產品0805COG5R0 規格,1GHz下Q值≥220,ESR≤150mΩ;
5)基礎粉(鈦酸鋇):粉體粒徑100±10nm;比表面積 9.0~13.0m2/g;粒度分布 D10:
0.05~0.10μm,D50:0.10~0.15μm,D90:0.25~0.45μm,c/a>1.0095,Ba/Ti:0.995~1.005。
應用領域:電子信息。
7、電子產品用氧化鋯陶瓷外殼材料
性能要求:成品瓷片三點抗彎強度≥1200MPa,韌性≥8MPa·m1/2,維氏硬度≥1100,相對介電常數<36。
應用領域:電子信息。
8、水處理用陶瓷平板膜
性能要求:膜層孔徑(100~120)nm,純水通量≥600LMH(40KPa,25℃),抗折強度≥45MPa,腐蝕后抗折強度≥30MPa。
應用領域:環保。
9、鋰電池隔膜涂布超細氧化鋁粉體材料
性能要求:物相 α-Al2O3,比表面積 4~7m2/g,掃描電鏡觀察顆粒分布均勻,無大顆粒,表面光滑無缺陷,粒度分布 D10>0.13μm,D50 0.6~0.8μm,D100<6μm,雜質元素含量 Fe<100ppm,Cu<10ppm,Cr<10ppm。
應用領域:新能源汽車。
10、汽車尾氣催化劑及相關材料
性能要求:汽油車催化劑:涂覆偏差≤±5%,性能指標達到國VI標準;
稀土儲氧材料:經1050℃,10%H2O水熱老化6小時后,比表面積≥30m2/g,儲氧量>300μmol O2/g。
氧化鋁材料:經1200℃水熱老化10小時后,比表面積≥40m2/g。
柴油車催化劑:DOC涂覆偏差≤±5%,DPF、SCR涂覆偏差≤±10%,性能指標達國VI標準;SCR催化劑:新鮮狀態,200℃下 NOx 轉化率>80%,650℃/10%H2O/空氣中100小時老化后,230~480℃范圍內NOx平均轉化率>80%。
堇青石蜂窩載體:TWC載體壁厚2.5~4.0mil,熱膨脹系數≤0.5×10-6/℃,DOC、SCR載體壁厚3.0~5.5mil,熱膨脹系數≤0.5×10-6/℃,DPF、GPF壁厚7~12mil,孔隙率45~65%,熱膨脹系數≤0.8×10-6/℃。
應用領域:交通裝備、節能環保。
11、 六方氮化硼
性能要求:含量≥98%,粒度 50nm~300μm,總氧≤0.8%,氧化硼含量≤0.5%。
應用領域:電子通信、化工。
12、高性能碳化硼陶瓷粉及制品
性能要求:(1)高性能碳化硼陶瓷粉:碳化硼≥95.2%,三氧化二硼≤0.5%,氧化鐵≤0.2%,粒度D500.5μm±0.05μm。
(2)高性能碳化硼防彈陶瓷:密度≥2.46g/cm3,維氏硬度≥2800,彎曲強度≥400MPa,
斷裂韌性>3.0MPa·m1/2,彈性模量≥380GPa。
應用領域:航空、安全防護。
13、氮化硼承燒板
性能要求:氮化硼含量>99.5%,氧含量<0.15%,密度1.5-1.6g/cm3
應用領域:氮化物陶瓷燒結。
14、高性能低噪音碳陶摩擦材料
性能要求:碳陶材料占比30-40%,摩擦系數0.45-0.55,600℃衰退率<20%,壽命8萬公里,3000HZ噪音次數<3%。
應用領域:汽車。
15、納米級勃姆石
性能要求:粒度≤0.2μm,純度 99.99~99.999%,比表面3~15m2/g,D50 0.2~0.6μm、D100<0.6μm,晶型呈四棱柱,表面規整,雜質含量Fe<100ppm、Cu<10ppm、Cr<10ppm,掃描電鏡觀察顆粒分布均勻,表面光滑無缺陷。
應用領域:新能源汽車、電子信息。
16、高端芯片制造用碳化硅陶瓷結構件
性能要求:密度≥3.03g/cm3,彎曲強度≥260MPa(常溫),高溫彎曲強度≥290MPa(1200℃),導熱系數≥30W/m.k(1200℃)。
應用領域:半導體。
17、5G射頻器件專用高阻碳化硅襯底材料
性能要求:晶型 4H,直徑 100mm±0.5mm,主參考邊取向<11-20>±5°,無劃痕,微管密度<0.5/cm2,最低電阻率>1E10Ω·cm,厚度500μm±10μm,TTV(厚度變化量)<10μm,Warp(翹曲度)<40μm。
應用領域:照明、電力電子、航天、核能。
18、碳化硅陶瓷結構件
性能要求:長度3500mm~5000mm,直徑≥50mm,壁厚5-12mm,碳化硅含量≥87%,游離硅含量≤8%,抗彎強度(20℃)≥290MPa,1200℃≥350MPa。
應用領域:工業裝備。
19、納米氧化錫導電陶瓷
性能要求:氣孔率≤8%,體積密度≥6.4g/cm3,耐壓強度≥230MPa,抗折強度≥35MPa,常溫電阻率<1Ω·cm(26℃)。
應用領域:新型顯示。
20、高性能氮化鋁粉體
性能要求:氧含量<0.8%,金屬雜質含量<500ppm,比表面2.0~3.5m2/g,粒度D50 1.0~2.5μm,原晶粒度 200-2500nm,制品熱導率≥220W/(m•K)。
應用領域:電子信息。
21、高純氧化鋁
性能要求:產品純度≥99.999%,主要雜質含量 Fe≤2ppm、Na≤2ppm、Ga≤2ppm、Si≤2ppm、Ca≤1ppm,產品D50在 0.1-0.8μm范圍可控,正態分布。
性能要求:電子通信。
22、高溫陶瓷色釉料用高純氧化鐠
性能要求:純度>99.99%,Fe2O3<0.0005%、SiO2<0.005%、CaO<0.005%、Al2O3<0.010%;Cl-<0.005%,經1100℃灼燒后無損耗,顏色為黑色。
應用領域:冶金工業。
23、高性能碳纖維增強陶瓷基摩擦材料
性能要求:密度≤2.4g/cm3,使用溫度-50℃~1650℃,抗壓強度≥160MPa,抗彎強度≥120MPa,摩擦系數0.2~0.45,摩擦系數熱衰退率≤15%。
應用領域:軌道交通、汽車、工程機械。
24、超高溫碳/陶復合材料及制品
性能要求:密度≥1.85g/cm3,拉伸模量≥80GPa,斷裂韌性≥15MPa·m1/2,1300℃拉伸強度200MPa,1300℃抗彎強度≥300MPa,1300℃面內剪切強度≥100MPa,導熱系數≥15W/m·K,熱膨脹系數(25℃~1300℃)1.0×10-6~4.5×10-6/℃。
應用領域:航空航天。
25、高性能氧化鋁纖維
性能要求:(1)氧化鋁短纖維:Al2O3含量≥72%,燒失量≤0.1%,平均直徑 6-7μm;
(2)氧化鋁連續纖維:Al2O3含量≥72%,纖維強度≥1.8GPa,平均直徑≤12μm。
應用領域:國防軍工、隔熱防護。
來源:山東省工信廳
(中國粉體網編輯整理/空青)
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