中國粉體網訊  石英坩堝是具有不同尺寸大小的圓堝狀石英玻璃制品，具有氣泡極少（內層）、二氧化硅純度極高和熔點高等優勢，用于直拉法拉制芯片和光伏產業必需的單晶硅棒。

在半導體行業，石英坩堝對堿金屬和過渡金屬等雜質含量有較高要求，堿金屬雜質會影響石英坩堝的熱學特性，降低石英制品的耐溫性，使其熔點降低，高溫性能變差；過渡金屬雜質會降低導電性，縮減半導體的使用壽命，雜質含量高還會產生氣泡和色斑等缺陷，降低石英坩堝的透明度，嚴重時還會影響石英坩堝成型。 

《單晶硅生長用石英坩堝》行業標準對于石英坩堝的雜質元素含量要求如下：

單晶硅生長用石英坩堝的雜質元素含量要求（單位為微克每克）

以地方標準《DB 13/T 5631—2022電子專用材料單晶硅生長用石英坩堝生產技術規范》為例，看一看電子專用材料單晶硅生長用石英坩堝原輔材料的嚴苛要求。 

地方標準《DB 13/T 5631—2022電子專用材料單晶硅生長用石英坩堝生產技術規范》

 石英砂雜質元素含量（單位為微克每克）

由內蒙古歐晶科技股份有限公司、江西中昱新材料科技有限公司、錦州佑鑫石英科技有限公司為主要起草單位編制的團體標準《半導體單晶硅生長用石英坩堝生產規范標準》中規定了半導體單晶硅生長用石英坩堝主要原輔材料的標準。

《半導體單晶硅生長用石英坩堝生產規范標準》 石英砂雜質元素含量（單位為微克每克）

發展趨勢

向大尺寸方向發展

為提高生產效率并降低成本，向大尺寸演進是半導體硅片制造技術的發展方向。硅片尺寸越大，在單片硅片上制造的芯片數量就越多，單位芯片的成本隨之降低。同時，在圓形的硅片上制造矩形的芯片會使硅片邊緣處的一些區域無法被利用，必然會浪費部分硅片。硅片的尺寸越大，相對而言硅片邊緣的損失會越小，有利于進一步降低芯片的成本。

半導體硅片正在不斷向大尺寸的方向發展，從最初的2英寸發展到了目前的12英寸，未來還有可能發展到18英寸，硅片的可利用面積比例將逐步增高。這也促使硅單晶硅材料進一步朝著無缺陷、大尺寸、高均勻度和結構完整性的方向發展。

未來，大尺寸硅片需求量持續攀升將推動半導體石英坩堝規模進一步增長。隨著8英寸及12英寸半導體硅片出貨量持續增長，對應24英寸及32英寸半導體石英坩堝的需求持續增加。

國內半導體石英坩堝市場占有率有望提升

隨著全球半導體產業向中國轉移，國產半導體石英坩堝市場占有率有望提升，在國家政策的扶持下，我國半導體產業的建設力度持續加強，進而有力帶動產業鏈上游石英坩堝需求的增長。未來隨著半導體領域國產替代進程的推進，國產石英坩堝在半導體領域的市場占有率將得到進一步提升。

企業介紹

錦州佑鑫石英科技有限公司成立于2004年，公司專注于太陽能級和半導體級石英坩堝的研發及制造，現具備錦州和曲靖兩個生產基地：錦州基地主要致力于半導體級高純石英坩堝的研發及制造，可批量供應16-28英寸半導體石英坩堝，具備年產12萬只石英坩堝的能力。

錦州佑鑫石英科技有限公司生產的石英坩堝，采用高溫電弧法制造，純度在99.99% 以上 ，具有良好的耐高溫性能（ 1450 ℃）。用于CZ法單晶硅生長及其它用途 。

2024年11月21-22日，由中國粉體網主辦的“2024（第八屆）全國石英大會暨展覽會”將在江蘇徐州召開，錦州佑鑫石英科技有限公司的研發中心主任馬力將做《坩堝用高純石英砂的要求及發展趨勢》的報告，屆時，他將結合研發經驗，詳細解讀坩堝用高純石英砂的要求及發展趨勢。

參考來源：

[1]C/T1048-2018,單晶硅生長用石英坩堝

[2]DB 13/T 5631—2022電子專用材料單晶硅生長用石英坩堝生產技術規范

[3]TCEMIA024-2021,半導體單晶硅生長用石英坩堝生產規范標準

[4]盾源聚芯招股說明書、美晶新材招股說明書

[5]國家知識產權局，錦州佑鑫石英科技有限公司

（中國粉體網編輯整理/九思） 

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