中國粉體網訊  近日，河北同光半導體股份有限公司國家企業技術中心揭牌暨年產20萬片8英寸碳化硅單晶襯底項目啟動儀式，在保定國家高新技術產業開發區舉行。

碳化硅（SiC）材料具有尺寸穩定性好、彈性模量大、比剛度大、導熱性能好和耐腐蝕等性能，在現代工業領域應用廣泛。在半導體領域，利用其具有禁帶寬度、擊穿場強高和導熱性良好等特性，SiC成為繼第一代半導體硅（Si）和第二代半導體砷化鎵（GaAs）之后的第三代半導體理想材料；在光學鏡面領域，利用其輕量化、比剛度大和熱變形系數小等特點，SiC成為空間反射鏡光學元件的優選材料；在機械密封領域，利用其較高的尺寸穩定性、耐腐蝕性能和耐磨性質，SiC材料已經在航空、船舶及特殊車輛等多種場合作為密封元件進行開發應用。

碳化硅單晶作為第三代半導體材料的核心代表，處在碳化硅產業鏈的最前端，是高端芯片產業發展的基礎和關鍵。

河北同光半導體股份有限公司，成立于2012年，專業從事碳化硅單晶片研發，生產和銷售，是國家高新技術企業，國家專精特新“小巨人”企業。

來源：同光股份官網

同光股份始終秉持“以科技為先導，創國際一流企業”的理念，以創新力為導向，注重人才引進與培養，與中國科學院半導體研究所密切合作，搭建創新平臺。2021年9月，同光股份年產10萬片直徑4-6英寸碳化硅單晶襯底項目，在淶源縣經濟開發區投產，成為保定第三代半導體產業從研發到規模量產的一次成功跨越，其目前還在保定國家高新區廠區布局碳化硅晶體生長爐500余臺。現如今，同光股份已經逐漸躋身到行業的第一梯隊，建成從原料合成、晶體生長、襯底加工，到晶片檢測國際先進，完整的碳化襯底生產線。

來源：同光股份官網

近日，同光股份國家企業技術中心揭牌暨年產20萬片8英寸碳化硅單晶襯底項目啟動儀式，在保定國家高新技術產業開發區舉行。項目預計總投資8.82億元，2027年全部投產。

同光股份國家級企業技術中心的揭牌，是同光股份發展歷程中的重要里程碑。這是其成立以來獲得認定的首個國家級研發平臺資質，也是河北省在碳化硅領域，唯一一家獲得國家級技術中心的企業。

來源：保定日報

參考來源：

[1] 同光股份官網、保定微訊、保定日報

[2] 徐慧敏等，碳化硅晶片的化學機械拋光技術研究進展

（中國粉體網編輯整理/山林）

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