中國粉體網訊  近日，國家知識產權局信息顯示，山東大學取得一項名為“一種基于芬頓反應的堿性氮化鎵拋光液及其制備方法”的專利，能夠有效延長拋光液的有效時長。

作為第三代半導體材料，單晶氮化鎵（GaN）憑借高熱傳導率、低能耗、高電子遷移率等特點具有廣闊的發展前景，適用于高溫、大功率等極端環境場合。平坦且無損的晶片表面是GaN作為半導體元器件襯底材料的必要條件。由于GaN具有機械硬度高、化學惰性強等特點，對其進行高效超精密加工的難度較大。化學機械拋光（Chemical mechanical polishing, CMP）是目前實現全區域平坦化的加工方法之一。

除了使用傳統的具有氧化特性的化學試劑來增強CMP拋光液的氧化性之外，人們不斷致力于采用其他的一些新穎的方法增強拋光液氧化活性，從而來實現超硬材料或惰性材料的表面平坦化加工，如芬頓反應。

山東大學本次發明屬于化學機械拋光技術領域，涉及一種基于芬頓反應的堿性氮化鎵拋光液及其制備方法。發明提供的堿性氮化鎵拋光液其組成包括過氧化氫、二氧化硅磨料、碳酸氫鈉、鐵鹽、分散劑、穩定劑、絡合劑和去離子水。本發明通過鐵系離子絡合物催化過氧化氫可以將芬頓反應的適用范圍拓寬到堿性條件，使用穩定劑可以促進三價鐵離子向亞鐵離子的轉化，增強亞鐵離子的催化作用，延長拋光液的有效時長。該發明提供的拋光液對環境友好，不腐蝕加工設備，成本低，性質穩定，無需外加輔助設備操作更方便，可長時間穩定存儲。

來源：國家知識產權局

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參考來源：

[1] 鄭世坤，電化學芬頓反應輔助氮化鎵化學機械拋光

[2] 山東大學官網、國家知識產權局、半導體材料與工藝

（中國粉體網編輯整理/山林）

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