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CPS-24000納米粒度儀助力鼎龍攻克“卡脖子”材料技術難題

據(jù)長江商報報道，在發(fā)布會現(xiàn)場，我司納米粒度分析儀的用戶鼎龍股份集團旗下子公司武漢柔顯科技股份有限公司、湖北鼎匯微電子材料有限公司、武漢鼎澤新材料技術有限公司，及聯(lián)合單位武漢鼎龍匯達材料科技有限公司發(fā)布了多款重磅新品，展示了半導體CMP用拋光墊、清洗液、修整盤、拋光液、納米研磨粒子以及OLED顯示光敏聚酰亞胺、封裝墨水、低溫光阻材料等20余款“卡脖子”材料。而化學機械拋光（Chemical mechanical polishing，CMP）是集成電路芯片的一個關鍵制程，國內拋光所用關鍵材料CMP拋光墊，幾乎全部依賴進口。

CMP典型的拋光漿料都是納米級發(fā)煙硅石(5Vol%，170-230nm)、高純硅膠(9Vol%，60 - 80nm)、氧化鈰(6Vol %，200 - 240nm)或氧化鋁顆粒，它們的粒度或粒度分布必須小心地進行控制以免在拋光面上產生刮痕。CMP漿料的分散穩(wěn)定性和保存期也是必須被認真考慮的重要環(huán)節(jié)。這種納米漿料的使用濃度一般在(5- 30W%)，容易聚集。隨著貯存時間延長，它的粒度可能增大從而導致?lián)p害的產生。

CMP漿料粒度分析的難點在于必須在拋光過程中全濃度條件下快速測定平均顆粒直徑和粒度分布，因為稀釋可能導致漿料穩(wěn)定性和粒度的變化(比如進一步的團聚或解聚)，另外在稀釋后的漿料中很難檢測本來就極少量的團聚體。

CPS-24000型納米粒度分析儀是最新型的納米粒度分析儀，它采用斯托克斯定律分析方法，V = D2(ρ_P -ρ_F) G / 18 η，即顆粒沉降的速度與顆粒的尺寸平方成正比來進行粒度的測量，因此粒徑相差小至1%的顆粒都可以明顯分辨出來。適用于極稀到高濃度的樣品粒度測定，對團聚體的存在非常敏感。

  

 為了提高粒徑的測量精度，需要極高的圓盤轉速，目前市面上常見的運行速度最高在15000RPM，而國內在1500RPM，無法滿足CPM化學機械拋光的需求。

CPS-24000納米粒度儀的最高轉速為24000轉，測試范圍在5nm-75um，每次加樣只需要0.1ml，降低樣液的測試成本，可連續(xù)測量多達40個樣品。

CPS納米粒度分析儀的使用方法已經列入國標，包括《金屬粉末粒度分布的測量-重力沉淀光透法》、《煤礦粉塵粒度分布測定方法》、《橡膠配合劑-炭黑-聚集體尺寸的測定-使用光跟蹤盤式離心沉淀儀法》等

儀器的主要參數(shù)為

測量范圍：0.005-75μm

光源：405nm LED

旋轉速度可選：12.000 RPM、18.000 RPM、24.000 RPM

標準分析圓盤：CR-39聚合物（耐有機溶劑和水溶液）

可選配：低密度樣品分析擴展、變速圓盤；自動密度梯度液生成器（型號

AG300）；自動進樣器（型號AS200）；標定用標準顆粒