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SiC具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、高導熱、抗氧化性以及高強度、低密度、介電性能可設(shè)計等優(yōu)異特性，是極具應(yīng)用潛力的導熱吸波型材料。在半導體材料中，SiC的高導熱系數(shù)奠定了其在第三代半導體材料中的主導地位，SiC器件可在高溫下長時間穩(wěn)定工作，促進了其在新一代芯片技術(shù)和導熱散熱技術(shù)領(lǐng)域的推廣應(yīng)用。下表列出了三代半導體材料的熱學性能對比。

博爾公司憑借30年在碳化硅粉體合成、分級、整形、純化、熱壓與無壓浸滲、高導熱陶瓷制造等方面的技術(shù)儲備，快速進入熱管理材料領(lǐng)域，并逐步開發(fā)了3C-SiC導熱吸波粉、納米SiC導熱吸波粉等系列產(chǎn)品，特別適合于對導熱、吸波及絕緣等指標有特殊要求的產(chǎn)品。已在國內(nèi)多家大型導熱、吸波、屏蔽企業(yè)完成產(chǎn)品應(yīng)用，使用效果優(yōu)于日本、德國和美國等進口粉體。

 △產(chǎn)品優(yōu)勢如下：

棱角鈍化，形貌規(guī)整，填充性能好、穩(wěn)定性好、易于形成更多的導熱通道。

比表面積小，吸油值低、流動性好。

粒度分布窄，顆粒集中度比國標至少提高10%以上。

堆積密度高，最高可達2.2g/cm3。

純度高，SiC純度可達4N~5N～6N。

吸波性能良好、介電性能可調(diào)。

性價比高，可用于6-8W及以上的導熱產(chǎn)品。

PART.1   3C-SiC導熱吸波粉

3C-SiC導熱吸波粉具有晶型完整、導熱系數(shù)高，吸波性能好，電子遷移率、擊穿電場強度、相對介電常數(shù)等電學性能各向同性等特點。3C- SiC純度：SiC≥99%；F·C﹤0.03%；F·Si﹤0.1%；SiO2﹤0.2%；Fe2O3﹤0.03%。堆積密度：1.3～2.0g/cm3。

產(chǎn)品規(guī)格：0.5μm～40μm，可根據(jù)用戶需求定制。

PART.2  納米SiC導熱吸波粉

納米SiC導熱吸波粉采用公司自主專利技術(shù)生產(chǎn)的β-SiC新型微粉和碳化硅磨介磨制而成，具有納米粒度分布窄、純度高、堆積密度高、絕緣性能好等優(yōu)點。經(jīng)過表面改性和造粒制成的納米SiC造粒粉，具有密度大、球度一致性好、填充性能好、導熱系數(shù)高等優(yōu)點。造粒粉粒度范圍為10～120mm，可根據(jù)用戶需求定制；流動性指數(shù)可達94，休止角達20o。

產(chǎn)品規(guī)格：30μm～100μm，可根據(jù)用戶需求定制。