前言
集成電路,這一個資本壁壘和技術壁壘極高的行業,具有投入高、周期長、風險大的特點。研磨拋光是集成電路制造的重要技術,但關鍵設備、耗材被國外供應商壟斷。當今國際形勢風云突變,國內半導體行業進入快速發展期。隨著半導體和精密制造需求的推動,產業資金投入的增加和優秀企業人才的引入,中國研磨拋光市場也不斷取得突破。
會議通知
會議背景隨著社會的發展,工業的進步,軌道交通、電子電力和航空航天等領域對于功率器件的需求與日俱增。其中,晶圓、陶瓷基板等關鍵部件將持續爆發,而這些關鍵部件往往要求極精密的結構尺寸和極高的平整度,拋光作為該類部件生產過程中最為關鍵的環節,決定了產品整體質量的好壞。在晶圓制造材料的成本拆分中,拋光材料占
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解決方案
CMP拋光墊是集成電路制造CMP制程中的關鍵材料,在CMP制程中提供穩定可控的摩擦力,同時實現拋光液的快速均勻分散。拋光墊產品橫跨高分子化學、高分子物理、有機合成、摩擦學、精密加工等多學科領域,技術復雜度極高。鼎龍具備拋光墊產品全制程、全流程的研發生產能力,是全球第一家做到拋光墊型號需求全覆蓋的公司
CMP拋光墊產品分類:吉致電子·拋光墊產品名稱:無紡布拋光墊/碳化硅SIC拋光墊/suba800替代產品特點:吉致電子拋光墊滿足低、中及高硬度材料拋光需求,針對碳化硅SIC拋光的4道工藝制程搭配不同型號拋光墊(粗磨墊/精磨墊/粗拋墊/精拋墊)具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性價比(177----06-----
吉致電子JEEZ碳化硅拋光墊上海研倍新材料專業生產納米粉末二氧化硅拋光液SiO2納米材料1、產品信息貨號純度規格形貌備注RDB-FSY-SiO299.95%50-100nm球形30-40%2、產品規格1、樣品測試包裝客戶指定(<1kg/袋裝)2、樣品產品包裝(1kg/袋裝)3、常規產品包裝(1kg/2kg/5kg/10kg)備
納米材料 二氧化硅拋光液 SiO2無錫吉致電子科技有限公司25年研發生產——TSVCMPCUSlurry/TSV銅化學機械拋光液/半導體cmp拋光液slurry/TSVCuSlurry/銅拋光液/TSV硅通孔拋光液/TSVCU拋光漿料TSV硅通孔的作用:提高集成度、降低功耗系統地集成數字電路、模擬電路。通過銅、鎢、多晶硅等導電物質的
吉致電子JEEZ TSV CMP CU Slurry 銅化學機械拋光液納米氧化鋯拋光粉基本信息:CAS#:1314-23-4性質:納米二氧化鋯拋光粉為高純白色粉末,是不銹鋼,玻璃、水鉆、水晶、金屬、各種石材系列精拋納米材料。性能:1、晶相穩定、硬度高、顆粒小且分布均勻;2、磨削力強、拋光快、光度亮、鏡面效果好;3、研磨效率高,拋光效果好,切削力強、出光快、能拋出均勻而
納米氧化鋯拋光粉1.采用混合稀土作為原料,經氟化焙燒制成的棕紅色拋光粉,通用性強,可用于多種光學元件,晶體,高 精度要求的平板玻璃等拋光。 2.平均粒度1.0-1.4微米,**顆粒小于6um,可滿足多種產品的精度要求。 3.拋光速度快,顆粒耐磨性好;懸浮性好,且易清洗。
銳拋高精度稀土拋光粉R3312??主要優勢在CMP步驟之后,需要在低溫下使用稀釋的化學品進行物理預清洗工藝,以減少顆粒數量。盛美上海的Post-CMP清洗設備能夠滿足這些要求,并提供多種配置,包括盛美上海自主研發的SmartMegasonixTM先進清洗技術。特性和規格(UltraCWPN(WIDO))在線預清洗設備:可實現37
Post-CMP清洗設備【產品特點】可用于對陶瓷、砷化鎵、磷化銦、單晶金剛石、金屬薄膜、多晶碳化硅等材質或工件精細拋光的過程中。材質:聚氨酯、合成纖維等多種材質。也可定制相對應材料的拋光布。【產品參數】●尺寸:圓形,常規尺寸直徑300mm,更多尺寸規格可定制;●厚度:0.8-2.0mm,更多厚度規格可定制;●深加工:可針對
拋光墊華樾精細化工(昆山)有限公司氧化鈰拋光液分散劑1996A一般來說,對拋光液的基本要求是磨粒均勻地懸浮分散在拋光液中,且具有足夠的分布穩定性。所以在拋光之前有必要對拋光液進行過濾,濾掉磨料聚集產生的微量大尺寸磨料顆粒。然而,過濾并不能全部消除這種聚集現象,因為在拋光的實際過程中,工藝參數的變化會導致磨
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