制作方法:
自主專利技術主成分含量:
99.99%~99.9999%存儲條件:
專業儲存密度:
99.99%~99.9999%純度:
99.99%~99.9999%莫氏硬度:
粉體顏色:
黑色目數:
0~0.1μm品級:
高看了半導體制造用高純超細立方SiC微粉的用戶又看了
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由高純度(99.99%~99.9999%)、精細(0~0.1μm)微粉和粒度為50~800μm的單晶β-SiC做母源,經氣相沉積法可制造各種單晶碳化硅,其優異的導電、導熱、耐磨、耐高溫、耐腐蝕性使其在**、航天、航空、電子行業等高尖端領域用來替代電子級單晶硅和多晶硅,成為當前高科技領域公認的第三代半導體材料和LED等應用的電子封裝、基板材料。
導電、導熱、耐磨、耐高溫、耐腐蝕性
碳化硅(SiC)具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、高導熱、抗氧化性以及高強度、低密度、介電性能可設計等優異特性,是極具應用潛力的導熱吸波型材料。在半導體材料中,碳化硅的高導熱系數奠定了其在第三代半導體材料中
近期,中國粉體網開啟第九屆“粉體行業獎項年度評選”活動。“粉體行業獎項年度評選”是由中國粉體網聯合北京粉體技術協會于2013年共同發起,是粉體行業最具權威性的獎項之一。為了助推行業邁向更高臺階,202
近日,陜西省科技廳公布了2023年度陜西省工程技術研究中心績效評價結果,依托西安博爾新材料有限責任公司與西安科技大學聯合共建的四主體一聯合陜西省硅鎂碳微納米材料工程技術研究中心(以下簡稱“工程中心”)