參考價(jià)格
面議型號(hào)
高性能微孔分析儀UltraSorb X800品牌
金埃譜產(chǎn)地
北京樣本
暫無(wú)誤差率:
-分辨率:
-重現(xiàn)性:
-儀器原理:
其他分散方式:
-測(cè)量時(shí)間:
-測(cè)量范圍:
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高性能微孔分析儀UltraSorb X800聚焦于微孔材料的表面特性表征,設(shè)備在不銹鋼管路基礎(chǔ)上,突破性設(shè)計(jì)VCR金屬面密封樣品管,提升氣體管路流轉(zhuǎn)過程中的整體密封性,具有真空度長(zhǎng)時(shí)間保持性、超低分壓比、溫度控制恒定、多通量等優(yōu)勢(shì)。設(shè)備可以廣泛應(yīng)用于環(huán)保、燃料電池、醫(yī)藥和催化等行業(yè)
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系統(tǒng)漏氣率低至1x10-11Pa.m3/s,1x10-9極低分壓比準(zhǔn)確測(cè)定,使極限0.35 nm微孔分析成為可能
2
高集成度模塊化結(jié)構(gòu),設(shè)備可便捷拓展,支持拓展4站/6站/9站微孔分析
3
金屬密封面接口微孔專用樣品管
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基體腔采用油浴恒溫系統(tǒng),消除長(zhǎng)時(shí)間測(cè)試溫度變化帶來的誤差
技術(shù)參數(shù)
測(cè)試數(shù)量:2/3站,可擴(kuò)展4/6/9站
測(cè)試范圍:比表面積:0.01 m2/g(氮?dú)猓?0.0005 m2/g(氪氣)及以上
孔徑:0.35nm-2nm微孔,2nm-500nm(中孔或大孔)
測(cè)試精度:比表面積重復(fù)精度≤± 1.0 %
*可幾孔徑重復(fù)偏差:≤0.01 nm
分壓范圍:1*10-9~0.998
行業(yè)應(yīng)用
活性炭
由于表面化學(xué)和孔結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性,有必要應(yīng)用多種方法組合來表征活性炭和理解其行為,并對(duì)多個(gè)吸附等溫線進(jìn)行堆疊分析共同表征活性炭特性。
分子篩
分子篩可廣泛應(yīng)用于做高效干燥劑、選擇性吸附劑、催化劑、離子交換劑等,可以通過氣體吸附方式對(duì)其比表面積、孔徑和孔容等相關(guān)結(jié)構(gòu)參數(shù)進(jìn)行表征。
MOFs
金屬有機(jī)框架由于具有比表面積大、孔徑尺寸可調(diào)節(jié)的的特性,在氣體吸附、氣體分離、催化和醫(yī)藥行業(yè)有很好的應(yīng)用前景,應(yīng)用于研究CO2、H2和CH4等氣體的儲(chǔ)存。
暫無(wú)數(shù)據(jù)!
摘要:硬脂酸鎂是制藥界廣泛應(yīng)用的藥物輔料,因?yàn)榫哂辛己玫目拐承浴⒃隽餍院蜐?rùn)滑性在制劑生產(chǎn)中具有十分重要的作用,作為常用的藥用輔料潤(rùn)滑劑,比表面積對(duì)硬脂酸鎂有很大的影響,硬脂酸鎂的比表面積越大,其極性越
2022-07-05
陶瓷材料具有高熔點(diǎn)、高硬度、高耐磨性、耐氧化等一系列特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)、汽車工業(yè)、紡織、化工、航空航天等國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域。陶瓷材料的物理性能很大程度上取決于其微觀結(jié)構(gòu),是掃描電鏡重要的應(yīng)用領(lǐng)
2022-09-27
用戶成就隨著全球人口的增長(zhǎng)和經(jīng)濟(jì)的發(fā)展,大量的能源消耗和碳排放總量的不斷增加給環(huán)境帶來了巨大的壓力。到2022年,建筑約占全球能源消耗的34%,占能源相關(guān)二氧化碳排放量的37%。窗戶被認(rèn)為是建筑物中最
3月26日-28日全球半導(dǎo)體行業(yè)旗艦展覽SEMICON China如約而至!國(guó)儀量子攜聚焦離子束電子束雙束顯微鏡閃亮登場(chǎng)為您帶來半導(dǎo)體領(lǐng)域微納加工的全新方案!上海新國(guó)際博覽中心N5館 5421展臺(tái)國(guó)儀
3月18日,由南京醫(yī)科大學(xué)附屬口腔醫(yī)院、江蘇省口腔轉(zhuǎn)化醫(yī)學(xué)工程研究中心和國(guó)儀量子技術(shù)(合肥)股份有限公司共同主辦,常州隆斯克普電子科技有限公司協(xié)辦的“國(guó)儀電鏡論壇暨南京醫(yī)科大學(xué)附屬口腔醫(yī)院電子顯微技術(shù)
國(guó)儀量子電鏡在晶圓背面研磨亞表面損傷評(píng)估的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體制造流程中,晶圓作為基礎(chǔ)材料,其質(zhì)量直接關(guān)乎芯片的性能與成品率。隨著芯片制造工藝不斷向小型化、高性能化發(fā)展,對(duì)晶圓的質(zhì)量要求愈發(fā)嚴(yán)
國(guó)儀量子電鏡在硅外延層堆垛層錯(cuò)密度統(tǒng)計(jì)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,硅外延層作為構(gòu)建高性能芯片的核心材料,其質(zhì)量?jī)?yōu)劣直接關(guān)乎芯片的性能表現(xiàn)。硅外延生長(zhǎng)技術(shù)通過在硅襯底上精確生長(zhǎng)一層
國(guó)儀量子電鏡在硅晶圓表面 CMP 劃痕檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,硅晶圓作為集成電路的基礎(chǔ)材料,其表面質(zhì)量對(duì)芯片的性能和成品率起著決定性作用。隨著芯片制造工藝不斷向更小的特征尺寸發(fā)展,