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ETD-2000C型離子濺射儀在ETD-2000離子濺射儀基礎(chǔ)上，增加了熱蒸發(fā)附件，可以蒸發(fā)碳絲，具有濺射和蒸發(fā)兩種功能。因此擴(kuò)展了應(yīng)用范圍，特別適用于掃描電鏡實(shí)驗(yàn)室樣品制備。

工作時(shí)結(jié)合內(nèi)部自動(dòng)控制電路很容易控制真空室壓強(qiáng)、電離電流及選擇所需的電離氣體，獲得**鍍膜效果。

一款既能濺射金、銀、銅、鉑又能蒸發(fā)碳膜的一機(jī)多用設(shè)備。此款機(jī)器具有小巧方便操作簡(jiǎn)單成膜效果好之優(yōu)點(diǎn)，可以滿足廣大SEM用戶樣品制備的需要。

離子濺射部分是比較常用的鍍膜方式，是以金屬靶材和樣品臺(tái)分別作為陰陽(yáng)兩極，在真空狀態(tài)下產(chǎn)生輝光放電，使金原子與殘存的氣體不斷碰撞而沉積成薄膜。可以使用Au，Pt，Cr、Al、Cu等靶材。

具有成膜均勻，操作簡(jiǎn)單，所需時(shí)間短，過(guò)程可控等優(yōu)點(diǎn)。

熱蒸發(fā)部分是把待鍍膜的基片或工件置于真空室內(nèi)，通過(guò)對(duì)鍍膜材料加熱使其蒸發(fā)氣化而沉積與基體或工件表面并形成薄膜或涂層的工藝過(guò)程。通過(guò)加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面，稱為熱蒸發(fā)鍍膜，熱蒸發(fā)鍍膜技術(shù)是歷史*悠久的鍍膜技術(shù)之一。熱蒸發(fā)主要用于蒸發(fā)碳。使用超純的碳纖維繩為嚴(yán)格的高分辨掃描電鏡、透射電鏡、EBSD及探針?lè)治鎏峁└哔|(zhì)量的鍍膜處理。因?yàn)樘荚幽軌蛑苯映练e在樣品表面而不發(fā)生橫向移動(dòng)，所以碳能夠形成小于1nm的顆粒。

參數(shù)：

儀器尺寸 ：305mm×400mm×390mm（W×D×H）

真空樣品室： 硼硅酸鹽玻璃 160mm×110mm（D×H）

靶（上部電極）：50mm×0.1mm（D×H）

濺射靶材：Au（標(biāo)配），也可根據(jù)實(shí)際情況配備銀靶、鉑靶等。

濺射靶材大小：φ50mm

樣品臺(tái)：樣品臺(tái)尺寸可安裝直徑50mm和直徑70mm的樣品臺(tái)，也可根據(jù)自身要求定制樣品臺(tái)

濺射工作電壓：0-1600V (DC)可調(diào)

濺射電流：0-50mA

濺射定時(shí)：0-360S

蒸碳電流 0-100A(AC)

蒸發(fā)材料：碳纖維

蒸發(fā)工作電壓：0-30V

蒸發(fā)時(shí)間：0-1S

微型真空氣閥：可連接φ3mm軟管

可通入氣體： 多種

輸入電壓：220V(可做110V)，50HZ

真空泵： 2升機(jī)械旋轉(zhuǎn)泵（國(guó)產(chǎn)VRD-8）

特點(diǎn)：

1、簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)、可靠。

2、可調(diào)節(jié)濺射電流和真空室壓強(qiáng)以控制鍍膜的速率和顆粒的大小。

3、真空保護(hù)可避免真空過(guò)低造成設(shè)備短路。

4、同時(shí)可以通過(guò)更換不同的靶材（金、鉑、銥、銀、銅等），以達(dá)到更細(xì)顆粒的涂層。

5、通過(guò)通入不同的惰性氣體以達(dá)到更純凈的涂層。

6、數(shù)字計(jì)時(shí)器定時(shí)自由方便。

7、碳纖維繩更加細(xì)膩均勻、快速，更有利于分析材料結(jié)構(gòu)

需要鍍膜的樣品

1、電子束敏感的樣品:

主要包括生物樣品，塑料樣品等。S EM中的電子束具有較高能量，在與樣品的相互作用過(guò)程中，它以熱的形式將部分能量傳遞給樣品。如果樣品是對(duì)電子束敏感的材料，那這種相互作用會(huì)破壞部分甚至整個(gè)樣品結(jié)構(gòu)。這種情況下，用一種非電子束敏感材料制備的表面鍍層就可以起到保護(hù)層的作用，防止此類損傷；

2、非導(dǎo)電的樣品:

由于樣品不導(dǎo)電，其表 面帶有“電子陷阱”， 這種表面上的電子積累 被稱為“充電”。為了 消除荷電效應(yīng)，可在樣 品表面鍍一層金屬導(dǎo)電 層，鍍層作為一個(gè)導(dǎo)電 通道，將充電電子從材 料表面轉(zhuǎn)移走，消除荷 電效應(yīng)。在掃描電鏡成 像時(shí)，濺射材料增加信 噪比，從而獲得更好的成像質(zhì)量。

3、新材料:非導(dǎo)電材料和半導(dǎo)體材料