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歐洲高性能霍爾效應測量系統，廣泛應用于半導體材料、低阻材料和高阻材料等物理性能的研究；可對多種重要物理參量如：電阻率、霍爾系數、載流子濃度、遷移率、磁電阻和V-I曲線等測量和分析；

可測試材料: 半導體材料：包括 SiGe， SiC， InAs， InGaAs， InP， AlGaAs， and HgCdTe，磚石鐵，氧體材料;

低阻材料：包括金屬、透明氧化物、稀磁半導體器件和TMR材料

高阻材料：包括半導體絕緣材料、GaAs、GaN、CdTe和光電探測器

技術參數：

電流源:

測量范圍: 1nA - 10 mA

輸出電壓: +/- 10V (+/-20V)

輸出電阻: typical 10¹³ Ohms

電流分辨率: 25 pA

電壓測量：

測量范圍: 10 mV - 10V（自動量程選擇）

分辨率 : <500nV

輸入電阻: > 10¹³ Ohms

磁場范圍：0.45T~2T（牛津磁體）；

電阻測量范圍: 1x10^-3 Ohm - 1x10⁹ Ohm

電阻率測量范圍: 1 x10^-5 Ohm*cm - 1x10⁷ Ohm*cm

載流子濃度范圍: 10⁷ cm^-3 - 10²¹ cm^-3

主要特點：

電阻率Rho測量；

霍爾系數R_H測量；

V-I曲線測量；

V_H電壓測量；

載流子濃度測量；

載流子遷移率測量；

載流子形式測量（n or p）;

磁電阻等；

獨有的非線性電壓補償功能；

磁場大小可調；

自動磁場校準；

低溫選件：77K；

Van der Pauw和橋式barshape測量；