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HPGe高純鍺晶體

High Purity Germanium Single Crystal – P Type

9N，10N，11N，12N，13N

1、晶體習性與幾何描述：

該晶體使用直拉法在晶體（100）方向延伸。圓柱形表面（表面光潔度小于2.5 μm RMS）。經紅外成像法檢測晶體結構穩定可靠。晶體幾個結構由直徑和長度決定。當一個晶體屬于原生態晶體時，其當量直徑為：

D ----外形尺寸當量直徑

W----鍺晶體重量

L-----晶體長度

測量值是四舍五入*小可達到毫米級別。為了便于訂單出貨，我們會依據晶體的體積、直徑和長度進行分類。同時我們可以滿足客戶的特殊需求，提供定制服務。

2、純度：殘留載荷

**允許凈載流子雜質濃度與探頭二極管的幾個構造有關，請參照如列公式。其純度依據據霍爾效應測量和計算。

同軸探測器：同軸探測器適用于下列公式：

N_max = 每立方厘米**雜質含量

VD = 耗盡層電壓 = 5000 V

εo = 介電常數 = 8，85 10-14 F/cm

εr = 相對介電常數(Ge) = 16

q = 電子電荷1，6 10-19C (elementary charge)

r1 = 探測器內孔半徑

r2 = 探測器外孔半徑

3、純度：

假如晶體表面半徑減少2mm，由于鋰的漫射和刻蝕，內徑8毫米的內孔半徑， 適用公式變為：

D = 晶體外表面

平面探測器：平面探測器（厚度小于2厘米）適用于以下公式：

d=探測器外觀尺寸厚度

徑向分散載荷子（**值）

遷移：霍爾遷移

性能： P 型晶體 μ_H ≥ 10000 cm²/V.s

N 型晶體 μ_H ≥ 10000 cm²/V.s

能級： P 型晶體 通過深能瞬態測量，Cu_tot ≤ 4.5*10⁹ cm^-3

N 型晶體 通過深能瞬態測量點缺陷 < < 5*10⁸cm^-3

晶體主要指標： P 型晶體 N 型晶體

錯位密度 ≤ 10000 ≤ 5000

星型結構 ≤ 3 ≤ 3

鑲嵌結構 ≤ 5 ≤ 5

4、高純度高純鍺HPGe晶體說明：