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分子束外延薄膜生長設(shè)備（MBE)（分子束外延MBE）該設(shè)備可以在某些襯底上實現(xiàn)外延生長工藝，實現(xiàn)分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等。可以進行第二代半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體的工藝驗證和外延片的生長制造。

分子束外延薄膜生長設(shè)備在薄膜外延生長時具有超高的真空環(huán)境，是在理想的環(huán)境下進行薄膜外延生長，它可以排除在薄膜生長時的各種干擾因素，得到理想的高精度薄膜。
我公司設(shè)計制造的分子束外延薄膜生長實驗設(shè)備，分實驗型和生產(chǎn)型兩種 ，配置合理，結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，技術(shù)先進，性能可靠，用途多，實用性強，價格相對較低，可供各大學的實驗室及科研機構(gòu)作為分子束外延方面的教學實驗、科學研究及工藝實驗之用。生產(chǎn)型MBE可用于小批量外延片的制備。

功能特點

本項目于2005年在國內(nèi)率先完成了成套MBE的全國產(chǎn)化研發(fā)設(shè)計和制造，做到自主可控。自主設(shè)計MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、RHEED原位實時在線監(jiān)控儀、直線型電子槍、高溫束源爐、束源爐電源、高溫樣品臺、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數(shù)）等核心部件。