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產品介紹

1.半導體芯片制造領域，硅晶片表面處理工藝，在曝光的過程中，表面平整才能有效避免光的散射來實現圖像轉移，采用化學機械研磨法，能夠實現標準的工藝要求，在半導體芯片的硅晶片制作工藝進入到毫米級后需采用化學機械研磨法，使硅晶片表面的平整程度達到制作的工藝要求。

2. 硅晶片與研磨墊相對運動過程會產生摩擦，從而會使研磨墊的溫度上升。溫度會升到80℃。研磨墊的溫度范圍30℃～75℃，研磨墊的溫度低于30℃或高于75℃時，會使研磨液與硅晶片表面的化學反應特性變差，影響硅晶片表面的平整度，需配置一臺化學機械CMP研磨冷卻水降溫設備來控制水溫。

3. 化學機械CMP研磨冷卻水降溫設備提供低溫冷水對CMP研磨機中拋光帶的冷卻裝置降溫，解決了CMP研磨機使用過程中拋光帶溫度比較高的問題，冷卻裝置包括一個冷水箱，水泵，冷水箱與拋光帶拋光工作面的接觸.能有效降低工作過程中拋光帶的溫度。

設備的應用

硅晶片雙面化學機械CMP研磨拋光自帶的冷卻裝置的降溫是利用化學機械CMP研磨冷卻水降溫設備提供的冷源，調節系統和顯示控制系統,通過顯示面板即可實時監測工作溫度，冷卻水沿冷卻通道對下磨盤進行冷卻,有效地控制了硅晶片的加工溫度,提高了硅晶片CMP研磨拋光的表面質量,降低了硅晶片碎片率。

產品優勢

化學機械CMP研磨冷卻水降溫設備作為化學機械CMP研磨過程中研磨拋光的溫度控制系統，通過控制拋光的溫度使得硅晶片在拋光程中的溫度得到控制，良品率等保持在理想狀態，延長研磨拋光的使用時間，有效提高硅晶片的平整性和穩定性.