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前 述：立方碳化硅(3C-SiC/β-SiC)是一種碳化硅晶體結構屬于立方晶系。它具有與金剛石相似的晶體結構，但晶格常數和原子間距略有不同。3C-SiC的晶格常數為a = 4.358A ，每個晶胞包含兩個碳原子和一個硅原子。在晶體結構中，碳原子和硅原子以等間距排列并形成立方晶格。它的晶體結構空間群為F-43m。在晶體結構中，碳原子和硅原子交替排列形成連續的Si-C鍵。3C-SiC的晶體結構是立方晶系的，具有碳原子和硅原子交替排列的特點。
立方碳化硅(3C-SiC/β-SiC)性能與金剛石接近，光潔度及研磨拋光性能遠超α-SiC(黑碳化硅和綠碳化硅)和白剛玉系列。在1600℃以上溫度時立方碳化硅（β-SiC）仍具有較高的強度。
HP-SiC
高純度碳化硅
3C-SiC
立方碳化硅
3C-Silicon Carbide
純 度：2N-6N（**純度：99.99994%）
結 構：3C (β-SiC）屬于立方碳化硅
特 點：3C-SiC碳化硅微粉具體吸波性能好、晶型完整、導熱系數高，電子遷移率、擊穿電場強
度、相對介電常數等電學
性能各向同性等特點，同時還具有高硬度，耐高溫，耐熱震，耐腐蝕，耐輻射等優良性能。
用 途：廣泛應用于電子、信息、精密加工、**、航空航天、高級耐火材料、特種陶瓷材料、
高級磨削材料和復合增強添加材料等領域。
粒度規格：
工業級3C-SiC粉料純度檢測值
化學成分：
暫無數據！
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