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美國SVT Laser MBE
Laser MBE具備PLD和傳統MBE的特性，可對薄膜的生長速率進行精確（原子層級別）控制。通過在MBE系統上增加激光燒蝕工藝，系統可以生長包括高熔點陶瓷以及多元素固體材料等。SVT有18年的MBE設備制造經驗，我們擅于通過原位的監控測量儀器來提高薄膜生長的質量。其中原位測量儀器包括：溫度測量、厚度測量、RHEED、束流監控等。如果您想了解更多這方面的信息，
應用：
可用于研究氧化物半導體， 高溫超導材料，光學晶體，電光學薄膜，鐵電以及鐵磁材料等。
標準性能：
超高真空（本底壓強<1E-10 Torr）；
多種生長模式的源集成，包括：
RF等離子體
蒸發源
電子束蒸發
臭氧傳送系統
先進的原位監控儀（可選）
原子吸收束流監控儀
RHEED
溫度以及厚度監控儀
6個可旋轉PLD靶
高功率準分子激光器
提供合適的泵抽組合
多種腔室配置以滿足您的需求
培訓以及服務支持
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移動端
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