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產品概述：
主要由爐室組件、上爐室組件、樣品支撐機構、測溫窗傳動組件、真空獲得及測量系統、氣路系統、水路系統、感應加熱系統、自動控制系統等組成。要求設備結構設計穩定，運行平穩，且有多項安全防護設施，質量流量及溫度控制精確，整個晶體生長過程由高可靠的可編程計算機控制器（PCC）控制，并可實現過程全自動（CCD）控制、信息記錄。
設備用途：
本設備要求采用感應加熱方式，在惰性氣體（氬氣）環境下將石墨坩堝中的碳化硅粉末升華，沉積到碳化硅單晶仔晶上，即物理氣相沉積法（PVT法）生長6″碳化硅單晶。
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