中國粉體網(wǎng)訊  碳化硅（SiC）是一種性能優(yōu)異的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。碳化硅零部件，即以碳化硅及其復(fù)合材料為主要材料的設(shè)備零部件，其具備密度高、熱傳導(dǎo)率高、彎曲強度大、彈性模數(shù)大等特性，能夠適應(yīng)晶圓外延、刻蝕等制造環(huán)節(jié)的強腐蝕性、超高溫的惡劣反應(yīng)環(huán)境，因此廣泛應(yīng)用于外延生長設(shè)備、刻蝕設(shè)備、氧化/擴散/退火設(shè)備等主要半導(dǎo)體設(shè)備。根據(jù)晶體結(jié)構(gòu)，碳化硅晶型很多，目前常見的SiC主要是3C、4H以及6H型，不同晶型的SiC用途不同。其中，3C-SiC也通常被稱為β-SiC，β-SiC的一個重要用途就是用作薄膜和涂層材料，因此，目前β-SiC是作石墨基座涂層的主要材料。根據(jù)制備工藝，碳化硅零部件可分為化學(xué)氣相沉積碳化硅（CVD SiC）、反..【詳細(xì)】